公开(公告)号：CN101401191A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008848.7

申请日：2007-01-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 ,  安东尼·雷诺 ,  詹姆斯·E·怀特

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  H01J27/02 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明揭露一种离子布植方法，其包含自C2B10H12产生C2B10HX离子以及将C2B10HX离子布植进材料中。在一些实施例中，C2B10HX离子的分子量大于100amu。在其他实施例中，C2B10HX离子的分子量为约132至144amu或约136至138amu。亦揭露一种离子源，其包含界定腔室的腔室外壳以及经组态以将C2B10H12引入腔室中的源进料气体供应件，其中离子源经组态以将腔室中的源进料气体离子化为C2B10Hx离子。