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公开(公告)号：CN111490103B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010344243.2
申请日：2014-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。
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公开(公告)号：CN105324847A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480034680.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种替换性金属栅极晶体管。各种范例提供一种包括沟槽、第一侧壁以及第二侧壁的替换性金属栅极晶体管。一层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104380492A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380033033.X
申请日：2013-04-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 丝特芬·舍曼 , 约翰·J·哈塔拉 , 赛门·罗芙尔
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 一种形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。
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公开(公告)号：CN111490103A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010344243.2
申请日：2014-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。
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公开(公告)号：CN105324847B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201480034680.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。
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公开(公告)号：CN108475679A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074925.8
申请日：2016-11-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L29/66
CPC classification number: H01L27/10826 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/2633 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/28167 , H01L27/10879 , H01L29/42368
Abstract: 本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。
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公开(公告)号：CN104380492B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380033033.X
申请日：2013-04-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 丝特芬·舍曼 , 约翰·J·哈塔拉 , 赛门·罗芙尔
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器以及制造方法。形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。
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