公开(公告)号：CN111490103B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202010344243.2

申请日：2014-06-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 张郢 ,  丝特芬·舍曼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。

公开(公告)号：CN105324847A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480034680.7

申请日：2014-06-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 张郢 ,  丝特芬·舍曼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种替换性金属栅极晶体管。各种范例提供一种包括沟槽、第一侧壁以及第二侧壁的替换性金属栅极晶体管。一层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。

公开(公告)号：CN111490103A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010344243.2

申请日：2014-06-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 张郢 ,  丝特芬·舍曼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。

公开(公告)号：CN105324847B

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201480034680.7

申请日：2014-06-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 张郢 ,  丝特芬·舍曼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。