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公开(公告)号：CN119905480A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906660.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基板结构、智能功率模块、控制器、电器及基板制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷覆铜基板和多个衔接柱体，陶瓷覆铜基板上设置有至少两个上芯区域。衔接柱体固定连接于陶瓷覆铜基板上，且多个衔接柱体对每个上芯区域形成围绕，衔接柱体与键合线的中间区域形成电性连接。从而可以通过衔接柱体，来作为键合线的中间衔接点，在新增芯片的情况下，键合线能够在电性连接过程中，弯折形成多段线段来减少键合线之间的交叉接触，且避免键合线由于线弧过长导致塌线与其他键合线发生接触的问题，提高了智能功率模块的基板结构的结构兼容性，降低了智能功率模块在产品迭代时的生产成本和缩短了研发周期。
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公开(公告)号：CN117936397A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311832238.6
申请日：2023-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组，该工艺方法包括在DBC衬底的芯片焊接层的第一区域上逐层生长能够进行瞬态液相烧结的第一金属层和第二金属层；第一金属层为高熔点金属，第二金属层为低熔点金属，第一金属层的层数比第二金属层的层数多一；在DBC衬底的芯片焊接层的第二区域上印刷纳米金属焊膏，纳米金属焊膏的印刷厚度与第一区域的金属层总厚度相同；第二区域位于第一区域的外围；将芯片覆盖于连接层上，得到待烧结的组件；采用低于第二金属的熔点的预烧结温度对待烧结的组件进行预烧结，在高于第二金属层的熔点的烧结温度下对预烧结后的待烧结的组件进行烧结，从而实现芯片与衬底的连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117003565B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310943667.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: C04B35/622 , C04B35/10
Abstract: 本发明提供的一种复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板。所述复合陶瓷基板的制造方法包括提供第一生坯膜，第一生坯膜为氧化铝生坯膜；提供第二生坯膜，第二生坯膜由包括氧化铝和钇稳定氧化锆的第一混合料制成；提供第三生坯膜，第三生坯膜由包括氧化铝和氧化镧的第二混合料制成；通过第一生坯膜、第二生坯膜以及第三生坯膜层叠制造具有多层结构的复合坯体，其中，在复合坯体中，第一生坯膜设置在所述第二生坯膜和所述第三生坯膜之间，以将第二生坯膜和第三生坯膜隔开；对复合坯体进行烧结处理，从而得到具有叠层结构的复合陶瓷基板。根据本发明提供的复合陶瓷基板的制造方法，获得的复合陶瓷基板抗弯强度显著增强，力学性能优异。
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公开(公告)号：CN118824967A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410821120.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及其制造方法、控制器和家用电器，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷基板、铜框架以及功率芯片，其中，所述陶瓷基板上开设有安装腔，所述铜框架内嵌于所述安装腔内。所述功率芯片安装于所述铜框架上，所述功率芯片产生的热量通过所述铜框架传递到所述陶瓷基板后，再通过所述陶瓷基板向外散发。由此，增加了陶瓷基板使得传递到铜框架上的芯片热量除了沿所述铜框架的底部传递之外，还可以沿所述铜框架的四侧进行热量传递，从而提高了所述智能功率模块的散热效率。
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公开(公告)号：CN117003565A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310943667.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: C04B35/622 , C04B35/10
Abstract: 本发明提供的一种复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板。所述复合陶瓷基板的制造方法包括提供第一生坯膜，第一生坯膜为氧化铝生坯膜；提供第二生坯膜，第二生坯膜由包括氧化铝和钇稳定氧化锆的第一混合料制成；提供第三生坯膜，第三生坯膜由包括氧化铝和氧化镧的第二混合料制成；通过第一生坯膜、第二生坯膜以及第三生坯膜层叠制造具有多层结构的复合坯体，其中，在复合坯体中，第一生坯膜设置在所述第二生坯膜和所述第三生坯膜之间，以将第二生坯膜和第三生坯膜隔开；对复合坯体进行烧结处理，从而得到具有叠层结构的复合陶瓷基板。根据本发明提供的复合陶瓷基板的制造方法，获得的复合陶瓷基板抗弯强度显著增强，力学性能优异。
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公开(公告)号：CN119725303A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411883903.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本申请公开了一种陶瓷基板及其制备方法、芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其中，通过在芯片的贴装区域之间设置凹槽，并在凹槽的底部沿凹槽延伸设置阻流条，能够利用凹槽及阻流条有效增加上导电层之间的爬电距离，降低了芯片模块在出现溢锡现象时的击穿风险，进一步缩短了芯片到上导电层边缘的间距限制，从而降低了陶瓷基板的整体尺寸，满足了半导体封装模块逐渐向小型化发展的趋势，因此，本申请实施例所提供陶瓷基板有效解决了现有陶瓷基板因溢锡现象导致无法进一步缩减尺寸的问题。
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公开(公告)号：CN116313861A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310203219.0
申请日：2023-03-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种芯片和基板的连接方法及芯片结构，连接方法包括如下步骤：S1、提供基板和芯片；S2、分别在所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面形成金属颗粒层；所述金属颗粒层包括至少两种金属依次交替重叠形成的若干层纳米金属颗粒；S3、将所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面接触，再进行烧结处理，以使所述基板和所述芯片连接。本发明的连接方法无需将纳米金属粉末与有机溶剂混合制成焊膏，仅需在基板以及芯片表面生长不同种类多尺寸的金属颗粒，即可实现烧结，能够避免有机溶剂蒸发和分解的过程，加快烧结过程，节省50％以上的时间。
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