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公开(公告)号：CN115020183B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210620615.9
申请日：2016-12-09
Applicant: S-纳米技术联合创作有限公司 , 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明所涉及的闪烁器(1A)的特征为具备：支撑基板(10)；发光层(14)，被形成于基板(10)上并以电子浓度成为2×1019cm‑3以上2×1020cm‑3以下的形式由被添加了杂质的ZnO构成并且对应于放射线的入射而生成闪烁光；保护层(16)，被形成于发光层(14)上并由具有大于ZnO的带隙的材料构成；金属层(18)，被形成于保护层(16)上。支撑基板(10)由透过在发光层(14)上被生成的闪烁光的材料构成。另外，金属层(18)以作为反射来自发光层(14)的闪烁光的反射层而起作用。由此，就能够实现适宜用于电子等的放射线的检测为可能的闪烁器、以及使用了该闪烁器的电子检测器。
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公开(公告)号：CN119993812A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510149550.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/28 , G01N23/2251 , C09K11/62
Abstract: 本发明的技术问题在于，提供一种能够降低串扰，且可扩展用途的发光元件、光检测模块、发光元件的制造方法、及使用其的扫描型电子显微镜。本发明的发光元件(1)具备：对于荧光具有透明性的光纤板基板(2)；及由具有量子阱结构的氮化物半导体层过程的发光层(3)。此发光元件(1)中，光纤板基板(2)与发光层(3)被直接接合。
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公开(公告)号：CN100481531C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200310101513.3
申请日：2003-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , H01J37/244 , H01J2237/2445
Abstract: 本发明涉及一种响应速度快、并发光强度高的发光体等。该发光体包括：基板、及设置在该基板的一个面上的氮化物半导体层。该氮化物半导体层由于射入电子而发出荧光。所产生的荧光中至少一部分透过基板，从该基板的另一面射出。该荧光的产生，是因电子射入氮化物半导体层的量子井结构，并由此所生成的电子与空穴的成对的再结合而引起，其响应速度在nsec等级以下。另外，该荧光的发光强度能获得与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体具有的响应速度及发光强度充分适用于扫描型电子显微镜及质量分析装置。
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公开(公告)号：CN115053317A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202080094997.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的质量分析装置包括试样台、照射部、MCP、荧光体、摄像部和控制部。照射部通过对试样照射能量射线而在维持试样的多个成分的位置信息的状态下使多个成分离子化。MCP根据离子化试样释放电子。荧光体根据电子发出荧光。摄像部具有能够切换开状态和闭状态的开闭机构。控制部控制开闭机构的开闭动作。控制部通过在每个成分的特定时间进行开闭机构的开闭，从而使摄像部对与多个成分的各自分别对应的荧光进行拍摄。
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公开(公告)号：CN115023602A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202080095071.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的摄像单元包括MCP、荧光体和摄像部。MCP设置在离子化了的试样的成分即离子化试样的飞行路径上，根据离子化试样而释放电子。荧光体配置在MCP的后段，根据从MCP释放的电子而发出荧光。摄像部配置在荧光体的后段，具有构成为能够对开状态和闭状态进行切换的开闭机构，其中在开状态使来自荧光体的荧光通过而拍摄荧光，在闭状态遮蔽来自荧光体的荧光而不拍摄荧光。荧光体的余辉时间为12ns以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115020183A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210620615.9
申请日：2016-12-09
Applicant: S-纳米技术联合创作有限公司 , 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明所涉及的闪烁器(1A)的特征为具备：支撑基板(10)；发光层(14)，被形成于基板(10)上并以电子浓度成为2×1019cm‑3以上2×1020cm‑3以下的形式由被添加了杂质的ZnO构成并且对应于放射线的入射而生成闪烁光；保护层(16)，被形成于发光层(14)上并由具有大于ZnO的带隙的材料构成；金属层(18)，被形成于保护层(16)上。支撑基板(10)由透过在发光层(14)上被生成的闪烁光的材料构成。另外，金属层(18)以作为反射来自发光层(14)的闪烁光的反射层而起作用。由此，就能够实现适宜用于电子等的放射线的检测为可能的闪烁器、以及使用了该闪烁器的电子检测器。
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公开(公告)号：CN108475549B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201680076533.5
申请日：2016-12-09
Applicant: S-纳米技术联合创作有限公司 , 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明所涉及的闪烁器(1A)的特征为具备：支撑基板(10)；发光层(14)，被形成于基板(10)上并以电子浓度成为2×1019cm‑3以上2×1020cm‑3以下的形式由被添加了杂质的ZnO构成并且对应于放射线的入射而生成闪烁光；保护层(16)，被形成于发光层(14)上并由具有大于ZnO的带隙的材料构成；金属层(18)，被形成于保护层(16)上。支撑基板(10)由透过在发光层(14)上被生成的闪烁光的材料构成。另外，金属层(18)以作为反射来自发光层(14)的闪烁光的反射层而起作用。由此，就能够实现适宜用于电子等的放射线的检测为可能的闪烁器、以及使用了该闪烁器的电子检测器。
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公开(公告)号：CN100558849C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200580012145.2
申请日：2005-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: C09K11/62 , G01N23/225 , G01N27/62 , G01T1/20 , G01T1/29 , H01J37/244 , H01J49/06
CPC classification number: H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体，使用该发光体的电子射线检测器，扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体(10)中，形成在基板(12)的一个面(12a)上的氮化物半导体层(14)因电子入射发出荧光，至少该荧光的一部分透过基板(12)，从基板的另一个面(12b)射出荧光。该荧光的应答速度在μsec量级以下。另外，该荧光的发光强度，具有与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体(10)，具有适应扫描型电子显微镜和质量分析装置的充分的应答速度以及发光强度。而且，由于覆盖层(16)有利于提高氮化物半导体层(14)中的发光残存率，所以，该发光体(10)不仅实现高速应答以及高发光强度，还具有优异的残存率。
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公开(公告)号：CN116472328B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202180078066.0
申请日：2021-11-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J37/244 , G01N23/2251 , H01J37/28 , G01T1/20 , C09K11/62
Abstract: 本发明的技术问题在于，提供一种能够降低串扰，且可扩展用途的发光元件、光检测模块、发光元件的制造方法、及使用其的扫描型电子显微镜。本发明的发光元件(1)具备：对于荧光具有透明性的光纤板基板(2)；及由具有量子阱结构的氮化物半导体层过程的发光层(3)。此发光元件(1)中，光纤板基板(2)与发光层(3)被直接接合。
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公开(公告)号：CN116802766A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180092581.4
申请日：2021-11-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J37/244
Abstract: 本发明提供一种能够提升通过被检测线的入射而产生的光的导光效率的光导、电子线检测器及带电粒子装置。本发明的电子线检测器(1A)具备：沿一方向延伸的导光体(2)；第1荧光体层(3)，其配置于导光体(2)的一端侧，通过被检测线(E)的入射而使1次荧光(L1)产生；第2荧光体层(4)，其从导光体(2)的一端侧朝向另一端侧延伸，通过1次荧光(L1)的入射而使2次荧光(L2)产生；以及检测部(5)，其配置于导光体(2)的另一端侧，和导光体(2)光学地耦合。
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