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公开(公告)号：CN105980933B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201580007561.7
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F7/7015 , B41J2/447 , B41J2/47 , G03F7/2057 , G03F7/70391 , G03F7/704 , G03G15/04054
Abstract: 在使多个光束的射束之间微小偏转的射束曝光装置中均匀地进行多个光束的微小偏转。射束曝光装置(1)具备：光出射部(2)，从多个光出射位置(2a)射出光束(Lb)；扫描部(3)；聚光光学系统(4)，将光束(Lb)的光斑聚光于被曝光面(Ex)；及微小偏转部(5)，将多个光束(Lb)微小偏转以曝光多个光束(Lb)的射束之间。聚光光学系统(4)具备：第1微透镜阵列(41)，配置在光出射部(2a)与微小偏转部(5)之间，并具备多个与光出射位置(2a)对应的微透镜(41M)；及第2微透镜阵列(42)，配置在微小偏转部(5)与被曝光面(Ex)之间，并具备多个与光出射位置(2a)对应的微透镜(42M)。
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公开(公告)号：CN104904198A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069761.6
申请日：2013-12-10
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H04N9/07 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/33 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14698
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，其在以一个摄像传感器取得可见光图像及近红外以上的长波长域图像时，得到鲜明的近红外以上的长波长域图像。本发明的摄像装置的摄像传感器(1)在一个半导体基板(10)上形成有多个光电转换部(2(2A、2B))。多个光电转换部(2(2A、2B))中的一组光电转换部(2A)中的每一个显示在近红外以上的长波长域具有峰值的分光灵敏度特性。多个光电转换部(2(2A、2B))中具备显示在可见光区域具有峰值的分光灵敏度特性的光电转换部(2B)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104782004A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380047925.5
申请日：2013-09-04
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: H01S5/1071 , G01C19/661 , H01S3/07 , H01S3/083 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/14 , H01S5/2031 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/4006
Abstract: 本发明提供一种半导体环形激光装置，其能够使环形激光器稳定振荡，且能够以较高的精确度进行角速度检测，并且能够满足超小型、超轻质化的要求。本发明的半导体环形激光装置具备：一个Si半导体基板(10)；环形谐振器(20)，由形成于Si半导体基板(10)的光波导(21)构成；半导体激光部(2)，在光波导(21)的至少一部分具备发光放大部(2A)，且产生相互朝相反方向环绕环形谐振器(20)的两个激光(L1、L2)；及光检测部(4)，形成于Si半导体基板(10)，且从环形谐振器(20)取出两个激光(L1、L2)来检测两个激光(L1、L2)的频率差，发光放大部(2A)具有pn接合部(13a)，所述pn接合部通过一边对在Si半导体基板(10)中的第1半导体层(10n)以高浓度掺杂B即硼而得到的第2半导体层(13)照射光，一边实施退火处理而得到。
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公开(公告)号：CN104769472A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380058372.3
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02B6/42 , H01L31/0232
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/134 , G02B2006/12061 , G02B2006/12147 , G02B2006/12169 , H01L31/0232 , G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种光互连装置。为了能够实现高效率的芯片内光互连，本发明的光互连装置(1)具备：Si半导体基板(10)；光波导(2)，形成于Si半导体基板(10)；及发光元件(3)，形成于光波导(2)的一端部，发光元件(3)具有pn结(10pn)，所述pn结(10pn)通过一边向第2半导体层(10p)照射光一边实施退火处理而得到，所述第2半导体层(10p)通过在Si半导体基板(10)中的第1半导体层(10n)高浓度掺杂杂质而得到。
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公开(公告)号：CN104813598A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380058348.X
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H04B10/80 , H01L31/10 , H01L31/12 , H01L33/34 , H04B10/114
CPC classification number: H04B10/803 , H01L25/167 , H01L31/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光互连装置，其能够通过比较简单的制造工序提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，且能够抑制基板间即芯片间信号传输的串扰。本发明的光互连装置(1)，其在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的发送接收，其中，配置于一个半导体基板(10)的多个发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共用的半导体层(10p)的pn结(10pn)，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的发送接收的一对发光元件(2、2-1)和受光元件(3、3-1)分别进行共同波长(λ1)下的发光和受光。
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公开(公告)号：CN105980933A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007561.7
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F7/7015 , B41J2/447 , B41J2/47 , G03F7/2057 , G03F7/70391 , G03F7/704 , G03G15/04054
Abstract: 在使多个光束的射束之间微小偏转的射束曝光装置中均匀地进行多个光束的微小偏转。射束曝光装置(1)具备：光出射部(2)，从多个光出射位置(2a)射出光束(Lb)；扫描部(3)；聚光光学系统(4)，将光束(Lb)的光斑聚光于被曝光面(Ex)；及微小偏转部(5)，将多个光束(Lb)微小偏转以曝光多个光束(Lb)的射束之间。聚光光学系统(4)具备：第1微透镜阵列(41)，配置在光出射部(2a)与微小偏转部(5)之间，并具备多个与光出射位置(2a)对应的微透镜(41M)；及第2微透镜阵列(42)，配置在微小偏转部(5)与被曝光面(Ex)之间，并具备多个与光出射位置(2a)对应的微透镜(42M)。
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公开(公告)号：CN104919731A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380070056.8
申请日：2013-12-10
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H04B10/80 , H01L31/02 , H04B10/114
CPC classification number: H04B10/803 , H01L31/173
Abstract: 本发明提供一种光互联装置，其能够提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，即使在转接一个基板进行光信号的接收和发送的情况下，也能够以比较简单的制造工序来形成，即使以高密度配置发光元件或受光元件的情况下也抑制基板之间信号传输的串扰。本发明的光互联装置(1)在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送，其中，配置于一个半导体基板(10)的发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共同的半导体层的pn接合部(10pn)，且形成于半导体基板(10)的一面侧，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件(2)和受光元件(3)中，由该发光元件(2)发出的光透过半导体基板(10)而被该受光元件(3)接收。
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