公开(公告)号：CN104919731A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380070056.8

申请日：2013-12-10

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  石川晋 ,  金尾正康 ,  小川吉司

IPC: H04B10/80 ,  H01L31/02 ,  H04B10/114

CPC classification number: H04B10/803 ,  H01L31/173

Abstract: 本发明提供一种光互联装置，其能够提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，即使在转接一个基板进行光信号的接收和发送的情况下，也能够以比较简单的制造工序来形成，即使以高密度配置发光元件或受光元件的情况下也抑制基板之间信号传输的串扰。本发明的光互联装置(1)在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送，其中，配置于一个半导体基板(10)的发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共同的半导体层的pn接合部(10pn)，且形成于半导体基板(10)的一面侧，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件(2)和受光元件(3)中，由该发光元件(2)发出的光透过半导体基板(10)而被该受光元件(3)接收。

公开(公告)号：CN105393366A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480028902.4

申请日：2014-04-23

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  小川吉司

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种受光元件及其制造方法，其通过解决伴随受限于带隙的材料选择而产生的各种问题，简单地获得对红外线等长波长光具有灵敏度的受光元件。本发明的受光元件(1)具备具有pn接合部(10j)的半导体层(10)、及夹持pn接合部(10j)的一对电极(11、12)，在一对电极(11、12)之间施加正向偏压(V)并照射特定波长的光(L)，由此在pn接合部(10j)附近产生近场光，其中，通过特定波长的光所透射的金属栅网偏光器(Wg)构成一对电极(11、12)的光(L)所照射的一侧的电极(11)。