公开(公告)号：CN104782004A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380047925.5

申请日：2013-09-04

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  名须川利通 ,  石川晋 ,  金尾正康

IPC: H01S5/14 ,  G01C19/72 ,  H01L31/10 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/1071 ,  G01C19/661 ,  H01S3/07 ,  H01S3/083 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/14 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/4006

Abstract: 本发明提供一种半导体环形激光装置，其能够使环形激光器稳定振荡，且能够以较高的精确度进行角速度检测，并且能够满足超小型、超轻质化的要求。本发明的半导体环形激光装置具备：一个Si半导体基板(10)；环形谐振器(20)，由形成于Si半导体基板(10)的光波导(21)构成；半导体激光部(2)，在光波导(21)的至少一部分具备发光放大部(2A)，且产生相互朝相反方向环绕环形谐振器(20)的两个激光(L1、L2)；及光检测部(4)，形成于Si半导体基板(10)，且从环形谐振器(20)取出两个激光(L1、L2)来检测两个激光(L1、L2)的频率差，发光放大部(2A)具有pn接合部(13a)，所述pn接合部通过一边对在Si半导体基板(10)中的第1半导体层(10n)以高浓度掺杂B即硼而得到的第2半导体层(13)照射光，一边实施退火处理而得到。

公开(公告)号：CN104769472A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380058372.3

申请日：2013-10-03

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  名须川利通 ,  金尾正康 ,  石川晋

IPC: G02B6/42 ,  H01L31/0232

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/134 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12147 ,  G02B2006/12169 ,  H01L31/0232 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明提供一种光互连装置。为了能够实现高效率的芯片内光互连，本发明的光互连装置(1)具备：Si半导体基板(10)；光波导(2)，形成于Si半导体基板(10)；及发光元件(3)，形成于光波导(2)的一端部，发光元件(3)具有pn结(10pn)，所述pn结(10pn)通过一边向第2半导体层(10p)照射光一边实施退火处理而得到，所述第2半导体层(10p)通过在Si半导体基板(10)中的第1半导体层(10n)高浓度掺杂杂质而得到。

公开(公告)号：CN104813598A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380058348.X

申请日：2013-10-03

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  名须川利通 ,  金尾正康 ,  石川晋

IPC: H04B10/80 ,  H01L31/10 ,  H01L31/12 ,  H01L33/34 ,  H04B10/114

CPC classification number: H04B10/803 ,  H01L25/167 ,  H01L31/167 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种光互连装置，其能够通过比较简单的制造工序提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，且能够抑制基板间即芯片间信号传输的串扰。本发明的光互连装置(1)，其在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的发送接收，其中，配置于一个半导体基板(10)的多个发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共用的半导体层(10p)的pn结(10pn)，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的发送接收的一对发光元件(2、2-1)和受光元件(3、3-1)分别进行共同波长(λ1)下的发光和受光。