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公开(公告)号:CN100422389C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200410102211.2
申请日:2000-12-25
IPC: C25D5/00 , C25D7/12 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
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公开(公告)号:CN1187481C
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN00804253.5
申请日:2000-12-25
IPC: C25D7/12
CPC classification number: H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
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公开(公告)号:CN1624207A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN200410102211.2
申请日:2000-12-25
IPC: C25D5/00 , C25D7/12 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
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公开(公告)号:CN1341166A
公开(公告)日:2002-03-20
申请号:CN00804253.5
申请日:2000-12-25
IPC: C25D7/12
CPC classification number: H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
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公开(公告)号:CN1319130C
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN00804252.7
申请日:2000-12-25
Inventor: 木村宪雄 , 三岛浩二 , 国泽淳次 , 小田垣美津子 , 牧野夏木 , 辻村学 , 井上裕章 , 中村宪二 , 松本守治 , 松田哲郎 , 金子尚史 , 森田敏行 , 早坂伸夫 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/288
CPC classification number: H01L21/67161 , B24B37/04 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1678 , C23C18/1692 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H05K3/423
Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部(1),用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元(2),用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元(116),用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元(10、11),对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手(3、8)。
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公开(公告)号:CN1341277A
公开(公告)日:2002-03-20
申请号:CN00804252.7
申请日:2000-12-25
Inventor: 木村宪雄 , 三岛浩二 , 国泽淳次 , 小田垣美津子 , 牧野夏木 , 辻村学 , 井上裕章 , 中村宪二 , 松本守治 , 松田哲郎 , 金子尚史 , 森田敏行 , 早坂伸夫 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/288
CPC classification number: H01L21/67161 , B24B37/04 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1678 , C23C18/1692 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H05K3/423
Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。
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公开(公告)号:CN103839857B
公开(公告)日:2017-09-19
申请号:CN201410084660.2
申请日:2009-06-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法、基板把持机构以及基板把持方法。具备:对基板(W)进行研磨的研磨部(3);搬运基板(W)的搬运机构(5、6);以及对研磨后的基板(W)进行清洗、干燥的清洗部(4)。清洗部(4)具有用于清洗多个基板的多个清洗线。该清洗线具备多个清洗模块(201A、201B、202A、202B),通过多个搬运机器人(209、210)来搬运基板。
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公开(公告)号:CN103839857A
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201410084660.2
申请日:2009-06-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67219 , B24B37/345 , H01L21/67742 , H01L21/67754
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法、基板把持机构以及基板把持方法。具备:对基板(W)进行研磨的研磨部(3);搬运基板(W)的搬运机构(5、6);以及对研磨后的基板(W)进行清洗、干燥的清洗部(4)。清洗部(4)具有用于清洗多个基板的多个清洗线。该清洗线具备多个清洗模块(201A、201B、202A、202B),通过多个搬运机器人(209、210)来搬运基板。
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公开(公告)号:CN101599423B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN200910141394.1
申请日:2009-06-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , B24B29/02 , B08B3/02 , B05B3/12 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法、基板把持机构以及基板把持方法。具备:对基板(W)进行研磨的研磨部(3);搬运基板(W)的搬运机构(5、6);以及对研磨后的基板(W)进行清洗、干燥的清洗部(4)。清洗部(4)具有用于清洗多个基板的多个清洗线。该清洗线具备多个清洗模块(201A、201B、202A、202B),通过多个搬运机器人(209、210)来搬运基板。
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公开(公告)号:CN101599423A
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200910141394.1
申请日:2009-06-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , B24B29/02 , B08B3/02 , B05B3/12 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法、基板把持机构以及基板把持方法。具备:对基板(W)进行研磨的研磨部(3);搬运基板(W)的搬运机构(5、6);以及对研磨后的基板(W)进行清洗、干燥的清洗部(4)。清洗部(4)具有用于清洗多个基板的多个清洗线。该清洗线具备多个清洗模块(201A、201B、202A、202B),通过多个搬运机器人(209、210)来搬运基板。
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