公开(公告)号：CN119300952A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043716.7

申请日：2023-03-22

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  渡边和英 ,  高田畅行

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B41/06 ,  B24B49/10 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明关于研磨装置。研磨装置具备三轴传感器，其与头支臂(20)相邻配置，且检测关于作用于研磨头(1)的三轴方向的力的信息。

公开(公告)号：CN112171503B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010624838.3

申请日：2020-07-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 阿部敦史 ,  渡边和英 ,  高桥太郎

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种涡电流传感器和研磨装置，该涡电流传感器比公知技术改善了在晶片的边缘区域检测膜厚精度。用于测定形成于基板的导电性膜的膜厚的涡电流传感器具有：作为磁性体的磁芯(136)，其具有：基部(120)，及分别在基部(120)的第一方向(122)的两端部(186)设于基部(120)的外脚(134)；励磁线圈，其配置于磁芯(136)，用于在导电性膜中形成涡电流；及检测线圈，其配置于磁芯(136)，用于检测形成于导电性膜中的涡电流。基部(120)在第一方向(122)的长度，大于基部(120)在与第一方向(122)实质地正交的第二方向(148)的长度。

公开(公告)号：CN114536214A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111413479.8

申请日：2021-11-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山田洋人 ,  高桥太郎 ,  涩江宏明

IPC: B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B49/10 ,  B24B49/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种对周围环境的变化与过去相比更不易受到影响的涡电流传感器及研磨装置。用于检测可生成于晶片的涡电流的涡电流传感器(50)具有作为磁性体的磁芯(136)。磁芯(136)具有：基部(120)；在基部(120)的第一方向(122)的中央且设于基部(120)的中央壁(144)；及在基部120的第一方向(122)的两端部，分别设于基部(120)的端部壁(134)。涡电流传感器(50)具有：配置于端部壁(134)，且可在晶片上生成涡电流的励磁线圈(62)；及配置于中央壁(144)，且用于检测涡电流的检测线圈(63)。

公开(公告)号：CN109719612B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201811288557.4

申请日：2018-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎

IPC: B24B37/005 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种减少电流传感器的计量结果在多个研磨装置间的差异的研磨装置、研磨系统、基板处理装置以及研磨方法。电流检测部检测摆动轴马达(14)的电流值而生成第一输出。第一处理部使用表示由顶环施加于半导体晶片的面压与第一输出之间的对应关系的第一数据，根据第一输出求出与第一输出相对应的面压。第二处理部使用表示由第一处理部获得的面压与第二输出之间的对应关系的第二数据，而求出与由第一处理部获得的面压相对应的第二输出。

公开(公告)号：CN111604809A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010106480.5

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  小川彰彦 ,  降矢滋行 ,  八木裕治 ,  高田畅行 ,  德永晋平

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B57/02 ,  B24B49/10 ,  H01L21/67 ,  H01L21/321

Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。

公开(公告)号：CN110030918A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811599497.8

申请日：2018-12-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  涩江宏明 ,  渡边和英

IPC: G01B7/06 ,  B24B37/013 ,  B24B49/10

Abstract: 提供一种使形成于被研磨物的磁场更强的磁性元件以及使用该磁性元件的涡电流式传感器。涡电流式传感器具有：作为磁性体的底面部、设于底面部的中央的磁心部、设于底面部的周边部的周壁部。涡电流式传感器另外还具有配置在磁心部的外周，能够产生磁场的励磁线圈；配置于周壁部的外周，能够产生磁场的励磁线圈。

公开(公告)号：CN110026883A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811481671.9

申请日：2018-12-05

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34

Abstract: 提供一种研磨装置、研磨方法以及计算机可读取记录介质。在将顶环保持于摆动臂的端部的研磨方式中，能够提高研磨终点检测的精度。通过研磨台保持研磨垫。通过第一电动机旋转驱动研磨台。通过顶环用电机旋转驱动顶环，该顶环用于保持半导体晶片并且将半导体晶片向研磨垫按压。通过摆动臂保持顶环。通过摆动轴电机使摆动臂绕摆动臂上的摆动中心摆动。检测摆动轴电机的电流值，并生成第一输出。在使半导体晶片绕摆动臂上的摆动中心摆动而对半导体晶片进行研磨时，使第一输出的变化量增加，并对研磨垫与半导体晶片之间的摩擦力的变化进行检测。

公开(公告)号：CN109719612A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811288557.4

申请日：2018-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎

IPC: B24B37/005 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B29/04 ,  B24B37/013 ,  B24B37/105 ,  B24B49/10 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68728 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种减少电流传感器的计量结果在多个研磨装置间的差异的研磨装置、研磨系统、基板处理装置以及研磨方法。电流检测部检测摆动轴马达(14)的电流值而生成第一输出。第一处理部使用表示由顶环施加于半导体晶片的面压与第一输出之间的对应关系的第一数据，根据第一输出求出与第一输出相对应的面压。第二处理部使用表示由第一处理部获得的面压与第二输出之间的对应关系的第二数据，而求出与由第一处理部获得的面压相对应的第二输出。

公开(公告)号：CN107877356A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710908822.3

申请日：2017-09-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 篠崎弘行 ,  铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  胜冈诚司 ,  畠山雅规

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/32 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  B24B49/10 ,  B24B53/017

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  B24B37/105 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/34 ,  B24B37/345 ,  B24B49/10 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  B24B53/017

Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。

公开(公告)号：CN103358222B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310110317.6

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  多田光男

IPC: B24B37/013

CPC classification number: G01N27/90 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  G01N27/82 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种无需提升涡电流传感器的振荡频率、内部电路的放大率及励磁电压，并且即使不在研磨台内的不同位置设置灵敏度不同的多个传感器，也可以正确检测半导体晶片等基板上的金属薄膜（或导电性薄膜）的涡电流传感器。该涡电流传感器为配置于形成有金属膜或导电性膜的基板W的附近、检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流的涡电流传感器（50），其构成为，将卷绕了导线或导电体的尺寸不同的多个线圈（63A、63B）互相分离配置为外侧的线圈（63B）包围内侧的线圈（63A），多个线圈（63A、63B）各自分别检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流。