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公开(公告)号：CN110719094B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201910619181.9
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社电装
IPC: H03K17/082 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种栅极驱动电路，其包括用于驱动开关元件(6)的栅极的驱动器(9)、峰值电压检测器(10)以及驱动容量计算器(11)。峰值电压检测器(10)在开关元件(6)为关时检测开关元件(6)的主端子处的峰值电压。驱动容量计算器(11)计算所检测的峰值电压和开关元件(6)的主端子处的可允许电压值之间的电压差值，其中可允许电压基于开关元件(6)的规范。驱动容量计算器(11)改变驱动器的驱动容量以逐渐减小所检测的峰值电压和可允许电压之间的差。
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公开(公告)号：CN107888056B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201711227219.5
申请日：2014-07-09
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种具备具有共通的通电电极(15、18)的晶体管构造(5)和二极管构造(6)的两个半导体元件(1A、1B)的驱动控制装置(32A、32B、52、54、56、61、62、71、72)具有：电流检测单元(7A、7B、25、59、60、68)，输出半导体元件的电流检测信号；以及第1控制单元(27)，在判定为对于上述半导体元件输入导通指令信号的期间上述半导体元件中以上述二极管构造的顺向的朝向流经电流的情况下，以之后的截断指令信号的输入时点为起点，从第1时间的经过时点到第2时间的经过时点为止，输出栅极驱动信号。预先设定第1时间和第2时间，以使得在两个半导体元件之间不发生臂短路。
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公开(公告)号：CN112823469A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980066640.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M1/08 , H03K17/08 , H03K17/082 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 栅极驱动装置具备一方的驱动部(10、125)、另一方的峰值电压检测部(14)以及一方的驱动能力控制部(12)。所述一方的驱动部驱动构成半桥电路(4、92)的上下臂的两个开关元件(5、6、93、103、113、114、123)中的一方的开关元件(5、113、123)的栅极。所述另一方的峰值电压检测部检测所述一方的开关元件导通时的另一方的开关元件(6、93、114)的主端子的峰值电压。所述一方的驱动能力控制部在由所述另一方的峰值电压检测部检测的主端子的峰值电压不超过根据所述另一方的开关元件的规格而确定的所述主端子的电压的允许值的范围内运算所述一方的驱动部的导通时的驱动能力的值，并且基于该运算结果变更所述一方的驱动部的导通时的驱动能力。
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公开(公告)号：CN109804539B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201780050288.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 根据本发明的晶体管驱动电路，利用温度检测元件(15)对双极型晶体管(1)或者MOSFET(2)的温度进行检测，若所述温度为阈值以下，则使MOSFET(2)和双极型晶体管(1)双方接通，若所述温度大于阈值，则仅使双极型晶体管(1)接通。
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公开(公告)号：CN109804539A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780050288.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 根据本发明的晶体管驱动电路，利用温度检测元件(15)对双极型晶体管(1)或者MOSFET(2)的温度进行检测，若所述温度为阈值以下，则使MOSFET(2)和双极型晶体管(1)双方接通，若所述温度大于阈值，则仅使双极型晶体管(1)接通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103745979A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410009511.X
申请日：2011-06-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L23/58 , H02M7/537
CPC classification number: H01L27/1203 , G01R19/0092 , H01L21/76283 , H01L23/585 , H01L29/0696 , H01L29/405 , H01L29/7394 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。
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公开(公告)号：CN112823469B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201980066640.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M1/08 , H03K17/08 , H03K17/082 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 栅极驱动装置具备一方的驱动部(10、125)、另一方的峰值电压检测部(14)以及一方的驱动能力控制部(12)。所述一方的驱动部驱动构成半桥电路(4、92)的上下臂的两个开关元件(5、6、93、103、113、114、123)中的一方的开关元件(5、113、123)的栅极。所述另一方的峰值电压检测部检测所述一方的开关元件导通时的另一方的开关元件(6、93、114)的主端子的峰值电压。所述一方的驱动能力控制部在由所述另一方的峰值电压检测部检测的主端子的峰值电压不超过根据所述另一方的开关元件的规格而确定的所述主端子的电压的允许值的范围内运算所述一方的驱动部的导通时的驱动能力的值，并且基于该运算结果变更所述一方的驱动部的导通时的驱动能力。
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公开(公告)号：CN107888056A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711227219.5
申请日：2014-07-09
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种具备具有共通的通电电极(15、18)的晶体管构造(5)和二极管构造(6)的两个半导体元件(1A、1B)的驱动控制装置(32A、32B、52、54、56、61、62、71、72)具有：电流检测单元(7A、7B、25、59、60、68)，输出半导体元件的电流检测信号；以及第1控制单元(27)，在判定为对于上述半导体元件输入导通指令信号的期间上述半导体元件中以上述二极管构造的顺向的朝向流经电流的情况下，以之后的截断指令信号的输入时点为起点，从第1时间的经过时点到第2时间的经过时点为止，输出栅极驱动信号。预先设定第1时间和第2时间，以使得在两个半导体元件之间不发生臂短路。
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公开(公告)号：CN105379086A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480039343.7
申请日：2014-07-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M1/08 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/168 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/0727 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H02M1/08 , H02M1/38 , H02M2001/0009 , H02M2001/0048 , H02M2001/0051 , H02M2001/0054 , H03K17/166 , H03K17/74 , Y02B70/1491
Abstract: 具备具有共通的通电电极(15、18)的晶体管构造(5)和二极管构造(6)的两个半导体元件(1A、1B)的驱动控制装置(32A、32B、52、54、56、61、62、71、72)具有：电流检测单元(7A、7B、25、59、60、68)，输出半导体元件的电流检测信号；以及第1控制单元(27)，在判定为对于上述半导体元件输入导通指令信号的期间上述半导体元件中以上述二极管构造的顺向的朝向流经电流的情况下，以之后的截断指令信号的输入时点为起点，从第1时间的经过时点到第2时间的经过时点为止，输出栅极驱动信号。预先设定第1时间和第2时间，以使得在两个半导体元件之间不发生臂短路。
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公开(公告)号：CN102332468B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110154131.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L23/58
CPC classification number: H01L27/1203 , G01R19/0092 , H01L21/76283 , H01L23/585 , H01L29/0696 , H01L29/405 , H01L29/7394 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。
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