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公开(公告)号：CN102376773B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110226614.8
申请日：2011-08-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/868 , H01L27/0664 , H01L29/0615 , H01L29/0692 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/405 , H01L29/42368 , H01L29/7394 , H01L29/7824
Abstract: 一种具有横向二极管的半导体装置包括半导体层(1c，1f，1g)、半导体层中的第一半导体区域(2)、杂质浓度大于第一半导体区域的接触区域(4)、位于半导体层中并与接触区域分开的第二半导体区域(6)、通过接触区域电连接到第一半导体区域的第一电极(10)、以及电连接到第二半导体区域的第二电极(11)。所述第二半导体区域包括低杂质浓度部分(7)、高杂质浓度部分(8)和扩展部分(9)。所述第二电极与所述高杂质浓度部分形成欧姆接触。扩展部分的杂质浓度大于低杂质浓度部分的杂质浓度并在半导体层的厚度方向上延伸。
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公开(公告)号：CN102403341B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110274680.2
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/47 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/405 , H01L29/43 , H01L29/7397
Abstract: 一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。
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公开(公告)号：CN102403341A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110274680.2
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/47 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/405 , H01L29/43 , H01L29/7397
Abstract: 一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103745979B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410009511.X
申请日：2011-06-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L23/58 , H02M7/537
CPC classification number: H01L27/1203 , G01R19/0092 , H01L21/76283 , H01L23/585 , H01L29/0696 , H01L29/405 , H01L29/7394 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。
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公开(公告)号：CN102376773A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110226614.8
申请日：2011-08-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/868 , H01L27/0664 , H01L29/0615 , H01L29/0692 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/405 , H01L29/42368 , H01L29/7394 , H01L29/7824
Abstract: 一种具有横向二极管的半导体装置包括半导体层(1c，1f，1g)、半导体层中的第一半导体区域(2)、杂质浓度大于第一半导体区域的接触区域(4)、位于半导体层中并与接触区域分开的第二半导体区域(6)、通过接触区域电连接到第一半导体区域的第一电极(10)、以及电连接到第二半导体区域的第二电极(11)。所述第二半导体区域包括低杂质浓度部分(7)、高杂质浓度部分(8)和扩展部分(9)。所述第二电极与所述高杂质浓度部分形成欧姆接触。扩展部分的杂质浓度大于低杂质浓度部分的杂质浓度并在半导体层的厚度方向上延伸。
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公开(公告)号：CN102332468A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110154131.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L27/1203 , G01R19/0092 , H01L21/76283 , H01L23/585 , H01L29/0696 , H01L29/405 , H01L29/7394 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。
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公开(公告)号：CN103745979A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410009511.X
申请日：2011-06-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L23/58 , H02M7/537
CPC classification number: H01L27/1203 , G01R19/0092 , H01L21/76283 , H01L23/585 , H01L29/0696 , H01L29/405 , H01L29/7394 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。
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公开(公告)号：CN102332468B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110154131.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L23/58
CPC classification number: H01L27/1203 , G01R19/0092 , H01L21/76283 , H01L23/585 , H01L29/0696 , H01L29/405 , H01L29/7394 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。
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