公开(公告)号：CN101540332B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910126586.5

申请日：2009-03-16

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  贺茂尚广

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。

公开(公告)号：CN101183679A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710185194.7

申请日：2007-11-12

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 野田刚史 ,  贺茂尚广 ,  新本秀明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种显示装置，形成在基板的第一区域的第一MIS晶体管和形成在与所述第一区域不同的第二区域的第二MIS晶体管分别在所述基板和所述半导体层之间具有栅电极，所述第一MIS晶体管的所述半导体层只由非晶半导体构成，所述第二MIS晶体管的所述半导体层包括多晶半导体，所述第二MIS晶体管的栅电极比所述第一MIS晶体管的栅电极薄。在形成有半导体层为非晶半导体的MIS晶体管和半导体层包括多晶半导体的MIS晶体管的显示装置中，在各MIS晶体管采用底栅结构时，能使由多晶半导体构成的半导体层的结晶性良好。

公开(公告)号：CN1523412A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410004414.8

申请日：2004-02-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 贺茂尚广 ,  糸贺敏彦 ,  海东拓生 ,  大仓理

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。

公开(公告)号：CN100422798C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410004414.8

申请日：2004-02-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 贺茂尚广 ,  糸贺敏彦 ,  海东拓生 ,  大仓理

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。

公开(公告)号：CN101540332A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910126586.5

申请日：2009-03-16

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 野田刚史 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  贺茂尚广

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。

公开(公告)号：CN100462821C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510058915.9

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 海东拓生 ,  大植荣司 ,  贺茂尚广 ,  木村泰一 ,  丝贺敏彦

IPC: G02F1/1343 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种显示装置及能减少制造工序的该显示装置的制造方法。该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。

公开(公告)号：CN1673815A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510058915.9

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 海东拓生 ,  大植荣司 ,  贺茂尚广 ,  木村泰一 ,  丝贺敏彦

IPC: G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种显示装置及能减少制造工序的该显示装置的制造方法。该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。