公开(公告)号：CN101320181B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200810098644.3

申请日：2008-06-03

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 境武志 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  三宅秀和

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。

公开(公告)号：CN101387805B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810215183.3

申请日：2008-09-10

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 大植荣司 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  宫泽敏夫 ,  高品雄一郎

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。

公开(公告)号：CN101414638B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810149909.8

申请日：2008-10-15

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  海东拓生 ,  栗谷川武 ,  宫泽敏夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，该显示装置具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管。该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层、形成在上述多晶硅层上层的第一非晶硅层、形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层。

公开(公告)号：CN101414638A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810149909.8

申请日：2008-10-15

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  海东拓生 ,  栗谷川武 ,  宫泽敏夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，该显示装置具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管。该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层、形成在上述多晶硅层上层的第一非晶硅层、形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层。

公开(公告)号：CN101329486A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810109780.8

申请日：2008-06-17

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  海东拓生 ,  野田刚史 ,  宫泽敏夫

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供一种显示装置，该显示装置在基板上具有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包括：与栅极信号线连接的栅电极；隔着绝缘膜跨上述栅电极而形成的半导体层；与漏极信号线连接而形成在上述半导体层上的漏电极；以及与上述漏电极相对而形成在上述半导体层的源电极，平面观察时，上述漏电极的与源电极面对的边不与上述栅电极重叠而形成，上述源电极的与漏电极面对的边不与上述栅电极重叠而形成。该显示装置虽然结构极为简单，但具备实现截止电流减少的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101540332B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910126586.5

申请日：2009-03-16

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  贺茂尚广

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。

公开(公告)号：CN101521210A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910005799.2

申请日：2009-02-12

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  大植荣司 ,  海东拓生 ,  宫泽敏夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种显示装置，其在基板上具有p型薄膜晶体管，p型薄膜晶体管在栅电极的上表面隔着绝缘膜形成有半导体层，在半导体层的上表面形成有具有间隔部而彼此相对配置的漏电极和源电极，在漏电极与半导体层的界面、和源电极与半导体层的界面形成有p型杂质的扩散层。

公开(公告)号：CN101101422A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710126924.6

申请日：2007-07-03

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 落合孝洋 ,  仲尾贵之 ,  园田大介 ,  三宅秀和 ,  宫泽敏夫 ,  槙正博 ,  佐佐木亨

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G09G3/3655 ,  G09G2300/0456

Abstract: 本发明提供一种半透射型液晶显示装置，包括具有一对基板和夹持在上述一对基板间的液晶层的液晶显示板，上述液晶显示板包括多个各自具有透射部和反射部的子像素，上述一对基板中的一块基板包括有源元件、设置在上述有源元件的电极的上层并具有第一接触孔的第一绝缘膜、设置在上述第一绝缘膜的上层的对置电极、在上述对置电极的上层并设置在上述反射部的反射电极、设置在上述对置电极和上述反射电极的上层并具有第二接触孔的第二绝缘膜、设置在上述第二绝缘膜的上层的像素电极、形成于上述第一接触孔并与上述有源元件的电极电连接的导体，上述像素电极通过上述第二接触孔与上述导体电连接。根据本发明的半透射型液晶显示装置，能提高制造成品率。

公开(公告)号：CN101101422B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710126924.6

申请日：2007-07-03

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 落合孝洋 ,  仲尾贵之 ,  园田大介 ,  三宅秀和 ,  宫泽敏夫 ,  槙正博 ,  佐佐木亨

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G09G3/3655 ,  G09G2300/0456

Abstract: 本发明提供一种半透射型液晶显示装置，包括具有一对基板和夹持在上述一对基板间的液晶层的液晶显示板，上述液晶显示板包括多个各自具有透射部和反射部的子像素，上述一对基板中的一块基板包括有源元件、设置在上述有源元件的电极的上层并具有第一接触孔的第一绝缘膜、设置在上述第一绝缘膜的上层的对置电极、在上述对置电极的上层并设置在上述反射部的反射电极、设置在上述对置电极和上述反射电极的上层并具有第二接触孔的第二绝缘膜、设置在上述第二绝缘膜的上层的像素电极、形成于上述第一接触孔并与上述有源元件的电极电连接的导体，上述像素电极通过上述第二接触孔与上述导体电连接。根据本发明的半透射型液晶显示装置，能提高制造成品率。

公开(公告)号：CN101387805A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215183.3

申请日：2008-09-10

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 大植荣司 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  宫泽敏夫 ,  高品雄一郎

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。