公开(公告)号：CN1054235C

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN95117312.X

申请日：1995-09-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  守部俊二 ,  加藤久幸 ,  小池淳义 ,  池田修二 ,  西村朝雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/22 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/182 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包含多晶硅薄膜的半导体器件，在这种多晶硅薄膜中硅薄膜的晶粒主要具有圆柱形结构且各个晶粒的晶向几乎为均一的方向。这种膜可以这样制作；在基底薄膜的界面上先淀积一层无掺杂硅薄膜或者先淀积一层杂质层，然后淀积掺杂的硅薄膜，如果需要，接下来进行热处理使之多晶化。

公开(公告)号：CN1129356A

公开(公告)日：1996-08-21

申请号：CN95115539.3

申请日：1995-08-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大鸟浩 ,  梶谷一彦 ,  宫沢一幸 ,  久保征治 ,  小池淳义 ,  金井史幸

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L27/1052

Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：将半导体衬底的第二表面部分做成凹槽；在其第一表面部分处制作第一电路区元件，而在第二表面部分处制作第二电路区元件，第一电路区和第二电路区的元件在垂直于半导体衬底表面部分的方向上具有相对小和大的尺寸；制作一隔离膜以覆盖第一和第二电路区，使隔离膜的第一和第二部分间产生高程差；将隔离膜化学机械整平以抑制其高程差；以及在提高了聚焦裕度的情况下，在隔离膜上制作布线导体。

公开(公告)号：CN1128898A

公开(公告)日：1996-08-14

申请号：CN95117312.X

申请日：1995-09-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  守部俊二 ,  加藤久幸 ,  小池淳义 ,  池田修二 ,  西村朝雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/22 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/182 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包含多晶硅薄膜的半导体器件，在这种多晶硅薄膜中硅薄膜的晶粒主要具有圆柱形结构且各个晶粒的晶向几乎为均一的方向。这种膜可以这样制作：在基底薄膜的界面上先淀积一层无掺杂硅薄膜或者先淀积一层杂质层，然后淀积掺杂的硅薄膜，如果需要，接下来进行热处理使之多晶化。

公开(公告)号：CN86103174A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN86103174

申请日：1986-05-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小池淳义 ,  目黑怜 ,  池田修二 ,  竹田敏文

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的多层布线半导体器件，是在下层金属布线层的侧面形成绝缘材料构成的侧墙，利用该侧墙表面的斜坡形状得以使下层金属布线层侧面的台阶突变趋于缓和，由此结构可以防止上层金属布线层的断裂及蚀刻不干净，防止下层金属布线层出现异常析出小丘，从而获得高可靠性的多层布线构造。

公开(公告)号：CN85108671A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85108671

申请日：1985-11-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  小池淳义 ,  目黑怜 ,  奥山辛祜

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/72

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838

Abstract: 在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。

公开(公告)号：CN1004777B

公开(公告)日：1989-07-12

申请号：CN85108671

申请日：1985-11-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  小池淳义 ,  目黑怜 ,  奥山辛祐

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/72

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838

Abstract: 在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。