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公开(公告)号：CN1248197C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200310100337.1
申请日：2003-10-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3916
Abstract: 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80%(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。
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公开(公告)号：CN1005941B
公开(公告)日：1989-11-29
申请号：CN87106513
申请日：1987-09-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/147 , G11B5/31 , H01F10/30 , H01F10/324 , H01F10/3254 , Y10S428/90
Abstract: 一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构，包括互相变替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Fe、Co、Ni或包含这些元素的一种的金属制成，各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。
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公开(公告)号：CN87106513A
公开(公告)日：1988-04-13
申请号：CN87106513
申请日：1987-09-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/147 , G11B5/31 , H01F10/30 , H01F10/324 , H01F10/3254 , Y10S428/90
Abstract: 一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构，包括互相交替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Fe、Co、Ni或包含这些元素的一种的金属制成，各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。
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公开(公告)号：CN1549245A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN200310100337.1
申请日：2003-10-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3916
Abstract: 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80％(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1006107B
公开(公告)日：1989-12-13
申请号：CN87103907
申请日：1987-05-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/31 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265
Abstract: 一种磁膜和使用这种磁膜(5，9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的，这些元素选自可填隙地溶于铁的元素：硼、氮、碳和磷，元素的含量是5～20％原子比。
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公开(公告)号：CN88101596A
公开(公告)日：1988-10-05
申请号：CN88101596
申请日：1988-03-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/115 , Y10T428/12632 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951
Abstract: 一种抗腐蚀铁磁膜和使用该铁磁膜的磁头。耐腐蚀膜除以铁为主要成分外，包括一种对于铁是间隙可溶的元素，还以0.5—5原子百分比的浓度包括从Ni，Rh，Ru，Pd，Zr，Nb，Ta，Ag，Os，Ir，Pt，Au，Cr，Mo，W，Ti，Bi，V，Co和Cu中选出的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN1482599A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03149441.2
申请日：2003-06-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 在记录重放分离型磁头中，除了使磁阻效应元件的自由层的磁化方向一致沿规定方向的第一磁畴控制层，还具有产生其反方向磁场的第二磁畴控制层。利用该差动型偏磁结构，避免磁阻效应元件在道宽方向端部的固定磁场减少，同时减少因窄的道宽而过强的中心部分的纵向偏磁磁场。第一及第二磁畴控制层由硬磁性材料及软磁性材料的组合而构成。通过这样能够得到具有可实现窄道宽、高灵敏度及低噪声的磁阻传感器的记录重放分离型磁头。
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公开(公告)号：CN1012234B
公开(公告)日：1991-03-27
申请号：CN88101596
申请日：1988-03-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/115 , Y10T428/12632 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951
Abstract: 一种抗腐蚀铁磁膜和使用该铁磁膜的磁头。耐腐蚀膜除以铁为主要成分外，包括一种对于铁是间隙可溶的元素，还以0.5～5原子百分比的浓度包括从Ni，Rh，Ru，Pd，Zr，Nb，Ta，Ag，Os，Ir，Pt，Au，Cr，Mo，W，Ti，Bi，V，Co和Cu中选出的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN87103907A
公开(公告)日：1987-12-09
申请号：CN87103907
申请日：1987-05-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/31 , G11B5/1278 , H01F10/14 , H01F10/265
Abstract: 一种磁膜和使用这种磁膜(5，9)的磁头。这种磁膜是通过将一种或多种元素填加到由铁构成或以铁为主要成分的磁膜中形成的。这些元素选自可填隙地溶于铁的元素：硼、氮、碳和磷，元素的含量是5-20％原子比。
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