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公开(公告)号：CN119677140A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410217286.2
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高阈值电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～3导电部、第1绝缘部以及半导体部。第2导电部在第1方向上与第1导电部分离。第3导电部在与第1方向交叉的第2方向上与第2导电部的一部分排列。第1绝缘部包括设置于第2导电部的一部分与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括第1、2半导体区域，是第1导电类型。第1半导体区域设置于第1导电部与第2导电部之间。第2半导体区域设置于第2导电部的一部分与第1绝缘区域之间且与第2导电部肖特基接合。在第2导电部和第2半导体区域的界面，第1杂质偏析。在第1导电类型为n型的情况下，第1杂质包含从由硼、铟、铝以及铍构成的群选择的至少1种。
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公开(公告)号：CN113809178B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110197605.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括半导体部件、第1、第2电极、栅电极、栅极端子、第1导电部件、第1端子和第1绝缘部件。半导体部件包括第1导电类型的第1半导体区域、第1导电类型的第2半导体区域和第2导电类型的第3半导体区域。栅极端子与栅电极电连接。第1导电部件与第1电极、第2电极以及栅电极电绝缘。第1端子与第1导电部件电连接。第1绝缘部件包括第3半导体区域与栅电极之间的第1绝缘区域以及栅电极与第1导电部件之间的第2绝缘区域。在与输入到栅极端子的第1信号不同的定时进行切换的第2信号能够被输入到第1端子。
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公开(公告)号：CN117457605A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310135311.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L25/18 , H01L25/07
Abstract: 提供半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包含第一元件。第一元件包含第一～第三导电部件、第一半导体部件以及第三导电部件布线。第一导电部件包含第一导电部分与第二导电部分。第二导电部件包含第三导电部分与第四导电部分。从第一导电部分向第三导电部分的方向沿着第三方向。从第二导电部分向第四导电部分的方向沿着第一方向。第一半导体部件在第三方向上位于第一导电部分与第三导电部分之间，在第一方向上位于第二导电部分与第四导电部分之间。第三导电部件布线与第三导电部件电连接。第三导电部件布线的至少一部分通过第一半导体部件与第三导电部分之间的第一位置以及第一半导体部件与第一导电部分之间的第二位置中的某一个。
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公开(公告)号：CN114188415A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110136019.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 实施方式提供可提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含第一导电部件、半导体部件、第二导电部件、第三导电部件、以及第一绝缘部件。半导体部件包含设于第一导电部件之上的第一半导体区域、设于第一半导体区域的一部分之上的第二半导体区域、以及设于所述第二半导体区域之上的第三半导体区域。第二半导体区域包含与所述第一半导体区域的一部分对置的第一面。所述第一面包含与第一绝缘部件相接的第一接触部分。第一面的下端部比第一接触部分靠下。第三半导体区域包含与第二半导体区域对置的第二面。第二面包含与第一绝缘部件相接的第二接触部分。第二面的下端部比第二接触部分靠下。
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公开(公告)号：CN118571914A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311077772.0
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 提供能够降低损失的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1、2电极、第1布线、半导体层、以及第1、2控制电极。第2电极的至少一部分配置于元件区域。第1布线配置于第1布线区域。半导体层设置于第1电极与2电极之间、以及第1电极与第1布线之间。半导体层包括第1～第7半导体区域。第5半导体区域配置于第1布线区域，是第1导电类型。第6半导体区域配置于第1布线区域，是第2导电类型。第1控制电极隔着第1绝缘部与第1、2半导体区域相向。第2控制电极隔着第2绝缘部与第1、2、7半导体区域相向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118507512A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311076085.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 提供能够降低体二极管的正向电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第3导电部、第1绝缘部以及半导体部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。从第2导电部向第3导电部的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第1绝缘部包括设置于第2导电部与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括设置于第1导电部与第2导电部之间的第1半导体区域和设置于第2导电部与第1绝缘区域之间的第2半导体区域。第2导电部包括与第1半导体区域肖特基接合的第1导电区域和与第2半导体区域肖特基接合的第2导电区域。在半导体部为n型的情况下，第1导电区域的功函数低于第2导电区域的功函数。
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公开(公告)号：CN120035175A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410874202.2
申请日：2024-07-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供能抑制耐压下降的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含具有第1面的支撑体、第1～4导电部和半导体层。从第1面往第1导电部的方向沿着第1方向。第2导电部在第2方向与第1导电部远离。半导体层位于第1导电部与第2导电部之间。半导体层包含对置区域和第1半导体区域。第3导电部在第3方向上远离第2导电部一部分和对置区域。第4导电部在第3方向远离第1半导体区域。第1半导体区域包含第1上端区域、第1下端区域和第1中间区域。第1上端区域的第1导电类型的杂质浓度比第1中间区域的第1导电类型的杂质浓度高。第1下端区域的第1导电类型的杂质浓度比第1中间区域的第1导电类型的杂质浓度高。
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公开(公告)号：CN113224161B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010952414.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域、第1部件以及第1绝缘部件。从第1部分区域向第1部件的方向沿着第1方向。从第3部分区域向第1部件的方向沿着第2方向。所述第1部件与第1部分区域电连接。第1部件与第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接。第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于第1绝缘部件的电阻率。
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公开(公告)号：CN115050833A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110953890.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。
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公开(公告)号：CN113345961A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010950518.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
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