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公开(公告)号：CN101438636B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200680054566.6
申请日：2006-05-17
Applicant: 三菱制纸株式会社 , 新光电气工业株式会社
CPC classification number: H05K3/426 , H05K1/116 , H05K3/002 , H05K3/108 , H05K2201/09545 , H05K2203/0191 , H05K2203/0574 , H05K2203/1184 , H05K2203/1394
Abstract: 本发明提供一种制造实现电路基板的高密度化的具有无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。是包含在具有贯通孔的基板的第一面形成树脂层和掩模层的步骤、从基板的与第一面相反一侧的第二面供给树脂层除去液并且除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的步骤的抗蚀图的形成方法、使用该抗蚀图的形成方法的电路基板的制造方法和电路基板。
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公开(公告)号：CN1917743A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610115926.0
申请日：2006-08-18
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H05K3/06
CPC classification number: H05K3/062 , H01L21/4828 , H01L21/4846 , H01L23/49548 , H01L2924/0002 , H05K3/202 , H05K2203/0369 , H05K2203/0597 , H05K2203/1476 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155 , Y10T29/49204 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种通过利用金属掩模的多阶段蚀刻形成高纵横比金属板图形或电路板的方法。在铜板(10)的一个或两个表面上涂覆抗蚀剂(12)，并构图所述抗蚀剂形成抗蚀剂图形。使用该抗蚀剂图形形成锡镀敷层(14)，并利用该锡镀敷层作为掩模，半蚀刻所述铜板。通过涂覆、曝光和显影正性抗蚀剂(18)，在所述锡镀敷层下方的所述正性抗蚀剂受到保护。利用所述锡镀敷层和所述保护性抗蚀剂层作为掩模，再次进行半蚀刻。重复该工艺，直到最后去除用作掩模的所述抗蚀剂和所述锡镀敷层，以产生金属图形(20)。
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公开(公告)号：CN1716587B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200510077426.8
申请日：2005-06-16
Applicant: 新光电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/147 , H01L21/6835 , H01L23/14 , H01L23/3677 , H01L23/492 , H01L23/49827 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/3511 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 内插器及其制造方法以及使用该内插器的半导体器件。一种内插器(10)，其插入在要安装在其上的半导体芯片(1)和封装板(51)之间，该内插器包括由半导体制成的内插器部分(11)和围绕前述内插器部分(11)与前述内插器部分(11)集成为一体设置的内插器部分(12)。在内插器部分(11、12)的两个表面上，通过绝缘层(13a、13b)形成有布线图案(14a、14b、15a、15b)。这些布线图案通过形成在内插器部分中的所需位置处的通孔电连接。外部内插器部分(12)由绝缘体(树脂)或金属体制成。此外，外部连接端子(16)与内插器(10)的一个表面接合。
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公开(公告)号：CN101438636A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200680054566.6
申请日：2006-05-17
Applicant: 三菱制纸株式会社 , 新光电气工业株式会社
CPC classification number: H05K3/426 , H05K1/116 , H05K3/002 , H05K3/108 , H05K2201/09545 , H05K2203/0191 , H05K2203/0574 , H05K2203/1184 , H05K2203/1394
Abstract: 本发明提供一种制造实现电路基板的高密度化的具有无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。是包含在具有贯通孔的基板的第一面形成树脂层和掩模层的步骤、从基板的与第一面相反一侧的第二面供给树脂层除去液并且除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的步骤的抗蚀图的形成方法、使用该抗蚀图的形成方法的电路基板的制造方法和电路基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1942057A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610125710.2
申请日：2006-07-14
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H05K3/06
CPC classification number: H05K3/064 , C23F1/02 , H01L2924/0002 , H05K3/06 , H05K3/062 , H05K3/202 , H05K2203/0369 , H05K2203/0508 , H05K2203/058 , H05K2203/0597 , H05K2203/1184 , H05K2203/1476 , H05K2203/1572 , Y10T29/49124 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种通过利用金属掩模的多阶段蚀刻形成高纵横比金属板图形和电路板的方法。在铜板(10)的一个或两个表面上涂覆抗蚀剂(12)，并构图所述抗蚀剂以形成抗蚀剂图形。使用该抗蚀剂图形形成锡镀敷层(14)，并利用该锡镀敷层作为掩模，选择性半蚀刻所述铜板。通过涂覆、曝光和显影正性抗蚀剂(18)，在所述锡镀敷层下方的侧蚀刻部分受到所述正性抗蚀剂的保护。利用所述锡镀敷层和所述保护性抗蚀剂层作为掩模，再次进行半蚀刻。重复该工艺，直到最后去除用作掩模的所述抗蚀剂和所述锡镀敷层，以产生金属图形(20)。
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公开(公告)号：CN1716587A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510077426.8
申请日：2005-06-16
Applicant: 新光电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/147 , H01L21/6835 , H01L23/14 , H01L23/3677 , H01L23/492 , H01L23/49827 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/3511 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 内插器及其制造方法以及使用该内插器的半导体器件。一种内插器(10)，其插入在要安装在其上的半导体芯片(1)和封装板(51)之间，该内插器包括由半导体制成的内插器部分(11)和围绕前述内插器部分(11)与前述内插器部分(11)集成为一体设置的内插器部分(12)。在内插器部分(11、12)的两个表面上，通过绝缘层(13a、13b)形成有布线图案(14a、14b、15a、15b)。这些布线图案通过形成在内插器部分中的所需位置处的通孔电连接。外部内插器部分(12)由绝缘体(树脂)或金属体制成。此外，外部连接端子(16)与内插器(10)的一个表面接合。
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公开(公告)号：CN101945533B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010275331.8
申请日：2006-05-17
Applicant: 三菱制纸株式会社 , 新光电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造实现电路基板的高密度化的具有无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。是包含在具有贯通孔的基板的第一面形成树脂层和掩模层的步骤、从基板的与第一面相反一侧的第二面供给树脂层除去液并且除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的步骤的抗蚀图的形成方法、使用该抗蚀图的形成方法的电路基板的制造方法和电路基板。
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公开(公告)号：CN101945533A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010275331.8
申请日：2006-05-17
Applicant: 三菱制纸株式会社 , 新光电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造实现电路基板的高密度化的具有无连接盘或窄小连接盘宽度的贯通孔的抗蚀图的形成方法、电路基板的制造方法和电路基板。是包含在具有贯通孔的基板的第一面形成树脂层和掩模层的步骤、从基板的与第一面相反一侧的第二面供给树脂层除去液并且除去第一面的贯通孔上和贯通孔周边部的树脂层的步骤的抗蚀图的形成方法、使用该抗蚀图的形成方法的电路基板的制造方法和电路基板。
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公开(公告)号：CN1917743B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200610115926.0
申请日：2006-08-18
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H05K3/06
CPC classification number: H05K3/062 , H01L21/4828 , H01L21/4846 , H01L23/49548 , H01L2924/0002 , H05K3/202 , H05K2203/0369 , H05K2203/0597 , H05K2203/1476 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155 , Y10T29/49204 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种通过利用金属掩模的多阶段蚀刻形成高纵横比金属板图形或电路板的方法。在铜板(10)的一个或两个表面上涂覆抗蚀剂(12)，并构图所述抗蚀剂形成抗蚀剂图形。使用该抗蚀剂图形形成锡镀敷层(14)，并利用该锡镀敷层作为掩模，半蚀刻所述铜板。通过涂覆、曝光和显影正性抗蚀剂(18)，在所述锡镀敷层下方的所述正性抗蚀剂受到保护。利用所述锡镀敷层和所述保护性抗蚀剂层作为掩模，再次进行半蚀刻。重复该工艺，直到最后去除用作掩模的所述抗蚀剂和所述锡镀敷层，以产生金属图形(20)。
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