公开(公告)号：CN107154335B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201710124363.X

申请日：2017-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·茹贝尔 ,  J·A·肯尼 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  J·罗杰斯 ,  R·丁德萨 ,  V·S·阿楚沙拉曼 ,  O·鲁赫尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。

公开(公告)号：CN111293026A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201911226343.9

申请日：2019-12-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·恩古耶 ,  X·常 ,  S·劳夫 ,  J·A·肯尼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种减少聚合物沉积的设备和方法。本公开的实现方式提供了一种用于静电吸盘的工艺配件。在一个实现方式中，提供了一种衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在上环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。

公开(公告)号：CN108807125A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810410921.3

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  A·侯塞因 ,  K·拉马斯瓦米 ,  J·A·肯尼 ,  J·路德维格 ,  张纯磊 ,  W·李

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开涉及处理腔室和递归分配连接器。本公开总体涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。所述设备包括可邻近静电卡盘定位的辅助电极。使用长度相等且阻抗相等的馈电线从电源递归地对辅助电极馈电。辅助电极是能够竖直地致动的，并且可相对于接地或负责等离子体产生的其他频率进行调谐。还提供了使用该设备的方法。

公开(公告)号：CN108109897A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201810048710.X

申请日：2014-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  K·H·弗劳德 ,  塙广二 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·A·肯尼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  H02K7/14

Abstract: 本公开涉及等离子体处理系统。一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。

公开(公告)号：CN104412718A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380035698.4

申请日：2013-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·A·肯尼 ,  J·D·卡达希 ,  K·S·柯林斯 ,  R·福韦尔 ,  K·拉马斯瓦米 ,  S·拉乌夫

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/5096 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32651 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源，该等离子体源具有对称RF馈送及围绕该对称RF馈送的对称RF遮罩。

公开(公告)号：CN105580128B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201480053119.3

申请日：2014-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  K·H·弗劳德 ,  塙广二 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·A·肯尼

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。

公开(公告)号：CN107154335A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710124363.X

申请日：2017-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·茹贝尔 ,  J·A·肯尼 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  J·罗杰斯 ,  R·丁德萨 ,  V·S·阿楚沙拉曼 ,  O·鲁赫尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。

公开(公告)号：CN113013013A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110172262.6

申请日：2017-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·茹贝尔 ,  J·A·肯尼 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  J·罗杰斯 ,  R·丁德萨 ,  V·S·阿楚沙拉曼 ,  O·鲁赫尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。

公开(公告)号：CN108109897B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201810048710.X

申请日：2014-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  K·H·弗劳德 ,  塙广二 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·A·肯尼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  H02K7/14

Abstract: 本公开涉及等离子体处理系统。一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。

公开(公告)号：CN105580128A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053119.3

申请日：2014-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林悟 ,  K·H·弗劳德 ,  塙广二 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·A·肯尼

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。