公开(公告)号：CN107154335A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710124363.X

申请日：2017-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·茹贝尔 ,  J·A·肯尼 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  J·罗杰斯 ,  R·丁德萨 ,  V·S·阿楚沙拉曼 ,  O·鲁赫尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。

公开(公告)号：CN107154335B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201710124363.X

申请日：2017-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·茹贝尔 ,  J·A·肯尼 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  J·罗杰斯 ,  R·丁德萨 ,  V·S·阿楚沙拉曼 ,  O·鲁赫尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。

公开(公告)号：CN118016500A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410192697.0

申请日：2019-05-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  O·鲁赫尔 ,  R·丁德萨 ,  J·罗杰斯 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  A·K·米什拉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及通过控制离子能量分布来处理基板的方法和处理腔室。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征的轮廓。

公开(公告)号：CN110473762A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910392379.8

申请日：2019-05-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  O·鲁赫尔 ,  R·丁德萨 ,  J·罗杰斯 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  A·K·米什拉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及使用具有电流返回输出级的脉冲发生器来控制离子能量分布的方法。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征的轮廓。

公开(公告)号：CN110473762B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201910392379.8

申请日：2019-05-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  O·鲁赫尔 ,  R·丁德萨 ,  J·罗杰斯 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  A·K·米什拉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及通过控制离子能量分布来处理基板的方法和处理腔室。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征的轮廓。

公开(公告)号：CN113013013A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110172262.6

申请日：2017-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·茹贝尔 ,  J·A·肯尼 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  J·罗杰斯 ,  R·丁德萨 ,  V·S·阿楚沙拉曼 ,  O·鲁赫尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。

公开(公告)号：CN206877967U

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201720205937.1

申请日：2017-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·茹贝尔 ,  J·A·肯尼 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  J·罗杰斯 ,  R·丁德萨 ,  V·S·阿楚沙拉曼 ,  O·鲁赫尔

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/6833

Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件和等离子体腔室，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/-)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm-cm。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利