公开(公告)号：CN116544171A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310622201.4

申请日：2017-01-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵在龙 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。

公开(公告)号：CN108140550B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201680058493.1

申请日：2016-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  H·诺巴卡施 ,  张纯磊 ,  S·F·庄司 ,  K·拉马斯瓦米 ,  R·史密斯 ,  B·L·梅斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

Abstract: 本公开的实施例关于在处理腔室中使用的喷淋头组件。喷淋头组件包括多孔插入件，该多孔插入件布置于气体分配板与底板之间的空间中，以缓和由等离子体点火导致的侵蚀性基团，从而减少腔室中的颗粒问题及金属污染。多孔插入件是诸如金属之类的导电材料，用以减少间隙电场强度，或可以是诸如陶瓷、聚四氟乙烯、聚酰胺酰亚胺或其他在高频及强电场的条件下具有低介电损失及高电场强度的材料之类的介电材料。如此，电击穿阈值被增强。多孔插入件可减少和/或消除喷淋头背侧等离子体点火，且可包括覆盖气体分配板的气孔的多个同心窄环。

公开(公告)号：CN108140550A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058493.1

申请日：2016-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  H·诺巴卡施 ,  张纯磊 ,  S·F·庄司 ,  K·拉马斯瓦米 ,  R·史密斯 ,  B·L·梅斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/3244

Abstract: 本公开的实施例关于在处理腔室中使用的喷淋头组件。喷淋头组件包括多孔插入件，该多孔插入件布置于气体分配板与底板之间的空间中，以缓和由等离子体点火导致的侵蚀性基团，从而减少腔室中的颗粒问题及金属污染。多孔插入件是诸如金属之类的导电材料，用以减少间隙电场强度，或可以是诸如陶瓷、聚四氟乙烯、聚酰胺酰亚胺或其他在高频及强电场的条件下具有低介电损失及高电场强度的材料之类的介电材料。如此，电击穿阈值被增强。多孔插入件可减少和/或消除喷淋头背侧等离子体点火，且可包括覆盖气体分配板的气孔的多个同心窄环。

公开(公告)号：CN118202439A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280074213.1

申请日：2022-11-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭岳 ,  杨扬 ,  王海涛 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供的实施例总体上包括用于控制处理腔室中的离子能量分布的装置、等离子体处理系统和方法。本公开内容的一个实施例涉及一种等离子体处理方法。方法总体上包括：确定电压和/或功率，电压和/或功率与要施加至处理腔室的第一电极的偏压信号相关联，电压是基于处理腔室的处理区域内的压力确定的，使得电压不足以通过向第一电极施加电压和/或功率而在腔室内生成等离子体；根据所确定的电压和/或功率向第一电极施加第一偏压信号；以及向处理腔室的第二电极施加第二偏压信号，其中第二偏压信号被配置为在处理区域中生成等离子体，且第一偏压是在施加第二偏压的同时被施加的。

公开(公告)号：CN109155275B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201780032218.7

申请日：2017-05-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  赵在龙

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了适用于高功率工艺的工件载体。其可包括：圆盘，用以承载工件；板，通过黏着剂接合到所述圆盘；安装环，围绕所述圆盘和冷却板；以及垫圈，在所述安装环和所述板之间，所述垫圈被配置成保护黏着剂。

公开(公告)号：CN109564844B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201780047258.9

申请日：2017-08-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·恩古耶 ,  X·Y·常 ,  王海涛 ,  K-Y·高 ,  R·萨德贾迪

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文公开了具有可调喷头和可调衬垫的处理腔室。在一些实施例中，工艺腔室包括：喷头；腔室衬垫；第一阻抗电路，所述第一阻抗电路耦接至喷头以调节喷头的阻抗；第二阻抗电路，所述第二阻抗电路耦接至腔室衬垫以调节腔室衬垫的阻抗；以及控制器，所述控制器耦接至第一阻抗电路和第二阻抗电路以控制喷头和腔室衬垫的相对阻抗。

公开(公告)号：CN109564844A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047258.9

申请日：2017-08-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·恩古耶 ,  X·Y·常 ,  王海涛 ,  K-Y·高 ,  R·萨德贾迪

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文公开了具有可调喷头和可调衬垫的处理腔室。在一些实施例中，工艺腔室包括：喷头；腔室衬垫；第一阻抗电路，所述第一阻抗电路耦接至喷头以调节喷头的阻抗；第二阻抗电路，所述第二阻抗电路耦接至腔室衬垫以调节腔室衬垫的阻抗；以及控制器，所述控制器耦接至第一阻抗电路和第二阻抗电路以控制喷头和腔室衬垫的相对阻抗。

公开(公告)号：CN109219873A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034376.6

申请日：2017-01-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵在龙 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。

公开(公告)号：CN108807125A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810410921.3

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  A·侯塞因 ,  K·拉马斯瓦米 ,  J·A·肯尼 ,  J·路德维格 ,  张纯磊 ,  W·李

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开涉及处理腔室和递归分配连接器。本公开总体涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。所述设备包括可邻近静电卡盘定位的辅助电极。使用长度相等且阻抗相等的馈电线从电源递归地对辅助电极馈电。辅助电极是能够竖直地致动的，并且可相对于接地或负责等离子体产生的其他频率进行调谐。还提供了使用该设备的方法。

公开(公告)号：CN109219873B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201780034376.6

申请日：2017-01-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵在龙 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。