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公开(公告)号：CN104412718A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035698.4
申请日：2013-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/5096 , H01J37/3211 , H01J37/32651 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源，该等离子体源具有对称RF馈送及围绕该对称RF馈送的对称RF遮罩。
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公开(公告)号：CN107710378B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201680034055.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二射频功率，该第二电极在该基板支撑组件中与第一电极不同的位置处；监测该第一和第二射频功率的参数；及基于所监测的参数，调整该第一和第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN103766005A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042408.4
申请日：2012-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32669
Abstract: 周期性地切换环绕等离子体反应器的处理区域的电子束源阵列以改变电子束传播方向并消除或降低不均匀性。
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公开(公告)号：CN103748970A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280041424.1
申请日：2012-10-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/24 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3233 , H01J2237/06366
Abstract: 依赖电子束作为等离子体源的等离子体反应器在电子束源中使用剖面式电子束析取网格以改良均匀性。
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公开(公告)号：CN111373504A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201980005856.9
申请日：2019-03-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入工艺腔室中的基板支撑件中的电极。响应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的测量，相对于第一RF信号调节第二RF信号。最大化在基板上的离子轰击并且最小化在喷头上产生的粒子的数量。本文描述的方法及系统提供了改进的离子蚀刻特性，同时减少从喷头产生的碎屑粒子的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107710378A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680034055.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二射频功率，该第二电极在该基板支撑组件中与第一电极不同的位置处；监测该第一和第二射频功率的参数；及基于所监测的参数，调整该第一和第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN103766003A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041425.6
申请日：2012-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3233 , G21K5/00 , H05H1/46 , H05H7/001
Abstract: 一种在工作件处理腔室中通过电子束产生等离子体的等离子体反应器，该等离子体反应器具有电子束源及分段束收集器，该分段束收集器是剖面式的以促进电子束产生的等离子体中的均匀性。
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公开(公告)号：CN103168506A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050326.X
申请日：2011-10-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32669
Abstract: 本文提供用于形成磁场的装置及所述装置的使用方法。在一些实施例中，具有基本上相似尺寸的多个线圈以对称的图案围绕处理腔室安置，所述对称的图案以所述处理腔室的中心轴为中心，其中所述多个线圈经配置以产生磁场，所述磁场具有多个磁场线，所述多个磁场线基本上为同一平面的且基本上平行的。在一些实施例中，所述多个线圈包含八个线圈，所述八个线圈围绕所述处理腔室安置，其中所述八个线圈中的每一个线圈相对于所述八个线圈中的各个相邻线圈偏移约45度的角度。
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公开(公告)号：CN117043909A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280017739.6
申请日：2022-03-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于在处理腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种基板支撑件包括：介电板，所述介电板具有第一侧并且包括设置在第一侧中的环形凹槽，所述第一侧被配置为支撑具有给定直径的基板，其中所述环形凹槽具有小于给定直径的内径和大于给定直径的外径，其中所述介电板包括夹持电极；插入环，所述插入环设置在介电板的环形凹槽中；以及边缘环，所述边缘环设置在介电板上，其中所述边缘环具有大于给定直径并且小于环形凹槽的外径的内径，使得所述边缘环设置在插入环的一部分上方。
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公开(公告)号：CN111373504B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201980005856.9
申请日：2019-03-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入工艺腔室中的基板支撑件中的电极。响应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的测量，相对于第一RF信号调节第二RF信号。最大化在基板上的离子轰击并且最小化在喷头上产生的粒子的数量。本文描述的方法及系统提供了改进的离子蚀刻特性，同时减少从喷头产生的碎屑粒子的量。
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