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公开(公告)号：CN110383417A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015461.2
申请日：2018-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文考虑用于增强离子能量的方法和设备。在一个实施例中，方法和装置包括控制器、具有经配置成处理晶片的对称等离子体源的工艺腔室、耦合至工艺腔室以产生等离子体密度的一个或多个特高频(VHF)源以及两个或更多个频率发生器，所述两个或更多个频率发生器相对于耦合至工艺腔室的底部电极的一个或多个VHF源产生低频，两个或更多个低频发生器经配置成耗散等离子体鞘中的能量，其中控制器控制一个或多个VHF源产生VHF信号且控制两个或更多个低频源产生两个或更多个低频信号。
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公开(公告)号：CN116547780A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180077770.4
申请日：2021-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本技术的实施例可包括半导体处理方法，所述半导体处理方法包括在基板处理腔室中的基板上沉积半导体材料膜。可用扫描电子显微镜在基板的大于或约两个非邻接区域处对沉积膜的缺陷进行采样。被检测和表征的缺陷可包括尺寸为小于或约10纳米的缺陷。所述方法可进一步包括基于对基板的大于或约两个非邻接区域中的缺陷的采样来计算沉积膜中的缺陷总数。作为计算的结果，可调整至少一个沉积参数。对至少一个沉积参数的调整可减少半导体材料膜沉积中的缺陷总数。
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公开(公告)号：CN115053328A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180011982.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L21/02
Abstract: 描述了水溶性有机‑无机混合式掩模和掩模配方，以及切割半导体晶片的方法。在示例中，用于晶片单分处理的掩模包括基于固体成分和水的水溶性基质。p区金属化合物、s区金属化合物或过渡金属化合物溶解在整个水溶性基质中。
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公开(公告)号：CN107481962B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201710725396.X
申请日：2015-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请描述了具有可拆卸高电阻率气体分配板的喷淋头。在一些实施例中，在半导体处理腔室中使用的喷淋头可包括：主体，所述主体具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置为接近底座的第二侧，其中气体分配板由具有约60Ω‑cm至90Ω‑cm之间的电阻率的材料形成；夹具，所述夹具绕气体分配板的周缘布置，以便可移除地将气体分配板耦接至底座；以及射频(RF)垫片，所述RF垫片设置在所述夹具与所述气体分配板之间，从而促进RF功率从所述主体通过所述夹具而至所述气体分配板的导电性。
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公开(公告)号：CN106663608B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201580035584.9
申请日：2015-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本文中提供具有可拆卸气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，在半导体处理腔室中使用的喷淋头可包括：底座，所述底座具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置为接近底座的第二侧，其中气体分配板由具有约60Ω‑cm至90Ω‑cm之间的电阻率的材料形成；夹具，所述夹具绕气体分配板的周缘布置，以便可移除地将气体分配板耦接至底座；以及热垫片，所述热垫片设置在底座与气体分配板之间的间隙中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109155280A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029159.8
申请日：2017-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/3065
Abstract: 描述了切割半导体晶片的蚀刻掩模和方法。在示例中，用于晶片切单处理的蚀刻掩模包含基于固态成分和水的水溶性基质。蚀刻掩模还包含分散遍布水溶性基质的多个颗粒。所述多个颗粒具有大约在5纳米～100纳米的范围内的平均直径。所述固态成分的重量％对于所述多个颗粒的重量％的比率大约在1:0.1～1:4的范围内。
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公开(公告)号：CN106663608A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580035584.9
申请日：2015-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本文中提供具有可拆卸气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，在半导体处理腔室中使用的喷淋头可包括：底座，所述底座具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置为接近底座的第二侧，其中气体分配板由具有约60Ω‑cm至90Ω‑cm之间的电阻率的材料形成；夹具，所述夹具绕气体分配板的周缘布置，以便可移除地将气体分配板耦接至底座；以及热垫片，所述热垫片设置在底座与气体分配板之间的间隙中。
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公开(公告)号：CN109155280B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201780029159.8
申请日：2017-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/3065
Abstract: 描述了切割半导体晶片的蚀刻掩模和方法。在示例中，用于晶片切单处理的蚀刻掩模包含基于固态成分和水的水溶性基质。蚀刻掩模还包含分散遍布水溶性基质的多个颗粒。所述多个颗粒具有大约在5纳米～100纳米的范围内的平均直径。所述固态成分的重量％对于所述多个颗粒的重量％的比率大约在1:0.1～1:4的范围内。
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公开(公告)号：CN107481962A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710725396.X
申请日：2015-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01L21/6715 , H01L21/687 , H01L2221/683
Abstract: 本申请描述了具有可拆卸高电阻率气体分配板的喷淋头。在一些实施例中，在半导体处理腔室中使用的喷淋头可包括：主体，所述主体具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置为接近底座的第二侧，其中气体分配板由具有约60Ω-cm至90Ω-cm之间的电阻率的材料形成；夹具，所述夹具绕气体分配板的周缘布置，以便可移除地将气体分配板耦接至底座；以及射频(RF)垫片，所述RF垫片设置在所述夹具与所述气体分配板之间，从而促进RF功率从所述主体通过所述夹具而至所述气体分配板的导电性。
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