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公开(公告)号：CN100452418C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610006478.0
申请日：2006-02-09
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使多个相变存储器元件中的每一个与一个MOS晶体管的扩散层电连接。
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公开(公告)号：CN101005112B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200610168444.1
申请日：2006-12-13
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 浅野勇 , 佐藤夏树 , 沃洛季米尔·丘巴蒂耶 , 杰弗里·P·富尼耶
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12；上电极15；设置在下电极12和上电极15之间、包含相变材料的记录层13和可以阻挡记录层13相变的阻挡层14。构成阻挡层14的材料比构成记录层13的材料具有更高的电阻。阻挡层14抑制热向上电极15辐射，极大地限制了施加写电流时的相变区。结果得到高的加热效率。上电极15自身可以用来构成位线，或者可以设置独立的位线。
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公开(公告)号：CN101924181A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010203665.4
申请日：2010-06-11
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2454 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种固态存储器、数据处理系统和数据处理装置。该固态存储器包括：具有其中层叠多个结晶层的超晶格叠层，结晶层包括具有相互不同组成的第一和第二结晶层；在超晶格叠层的层叠方向上在第一表面上提供的下电极；以及在层叠方向上超晶格叠层的第二表面上提供的上电极。包括在超晶格叠层中的第一结晶层由相变化合物制成。根据本发明，在上下电极的对向方向上层叠的超晶格叠层被夹在这些电极之间。因此，当电能经由这些电极被施加到超晶格叠层时，均匀电能够被施加到超晶格叠层的层叠表面。因此，即使当重复地重写信息时，电阻的波动也很小，并且结果能够稳定地读取数据。
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公开(公告)号：CN100559623C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610143921.9
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的上电极17以及包含相变材料并且连接在下电极12和上电极17之间的记录层18。根据本发明，上电极17与记录层18的初始生长表面18a接触。该结构可以通过在记录层18之前形成上电极17来实现，得到三维结构。这样减小了向位线的热扩散而不增加记录层18的厚度。
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公开(公告)号：CN100541810C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610163004.7
申请日：2006-11-28
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 浅野勇
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 非易失存储元件包括：下电极；上电极；记录层，其布置在所述下电极和所述上电极之间，并且包含相变材料；以及位线，其直接布置在所述上电极上。所述位线形成得偏移于所述记录层。使用这种构造，能够减少记录层和上电极之间的接触面积以及上电极和位线之间的接触面积，而不用在上电极和位线之间提供层间绝缘膜。这样一来，就能够抑制向位线的热辐射，同时连接上电极和位线而不使用通孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983617A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610163004.7
申请日：2006-11-28
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 浅野勇
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 非易失存储元件包括：下电极；上电极；记录层，其布置在所述下电极和所述上电极之间，并且包含相变材料；以及位线，其直接布置在所述上电极上。所述位线形成得偏移于所述记录层。使用这种构造，能够减少记录层和上电极之间的接触面积以及上电极和位线之间的接触面积，而不用在上电极和位线之间提供层间绝缘膜。这样一来，就能够抑制向位线的热辐射，同时连接上电极和位线而不使用通孔。
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公开(公告)号：CN1960019A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143921.9
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的上电极17以及包含相变材料并且连接在下电极12和上电极17之间的记录层18。根据本发明，上电极17与记录层18的初始生长表面18a接触。该结构可以通过在记录层18之前形成上电极17来实现，得到三维结构。这样减小了向位线的热扩散而不增加记录层18的厚度。
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公开(公告)号：CN1983660B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610170067.5
申请日：2006-12-15
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/1658 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625
Abstract: 本发明中的非易失存储元件的制造方法，包括：第一步，在层间绝缘膜上形成黏附层，以使得与下电极建立电连接；第二步，在所述黏附层上形成包含相变材料的记录层；第三步，形成上电极，其电连接至所述记录层；以及第四步，在所示记录层内，对位于至少所述下电极和所述记录层之间的部分黏附层进行扩散。
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公开(公告)号：CN100550408C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610143922.3
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的位线14以及包含相变材料并且连接在下电极12和位线14之间的记录层15。根据本发明，位线14与记录层15的初始生长表面15a接触。该结构可以通过在记录层15之前形成位线14来得到，得到三维结构。这样减小了记录层15和位线14之间的接触面积，减少了向位线14的热扩散而不增加记录层15的厚度。此外，利用该三维结构，在位线14和记录层15之间不存在上电极，降低了制造工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN101005112A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610168444.1
申请日：2006-12-13
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 浅野勇 , 佐藤夏树 , 沃洛季米尔·丘巴蒂耶 , 杰弗里·P·富尼耶
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12；上电极15；设置在下电极12和上电极15之间、包含相变材料的记录层13和可以阻挡记录层13相变的阻挡层14。构成阻挡层14的材料比构成记录层13的材料具有更高的电阻。阻挡层14抑制热向上电极15辐射，极大地限制了施加写电流时的相变区。结果得到高的加热效率。上电极15自身可以用来构成位线，或者可以设置独立的位线。
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