公开(公告)号：CN101005112A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610168444.1

申请日：2006-12-13

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 浅野勇 ,  佐藤夏树 ,  沃洛季米尔·丘巴蒂耶 ,  杰弗里·P·富尼耶

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12；上电极15；设置在下电极12和上电极15之间、包含相变材料的记录层13和可以阻挡记录层13相变的阻挡层14。构成阻挡层14的材料比构成记录层13的材料具有更高的电阻。阻挡层14抑制热向上电极15辐射，极大地限制了施加写电流时的相变区。结果得到高的加热效率。上电极15自身可以用来构成位线，或者可以设置独立的位线。

公开(公告)号：CN101005112B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200610168444.1

申请日：2006-12-13

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 浅野勇 ,  佐藤夏树 ,  沃洛季米尔·丘巴蒂耶 ,  杰弗里·P·富尼耶

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12；上电极15；设置在下电极12和上电极15之间、包含相变材料的记录层13和可以阻挡记录层13相变的阻挡层14。构成阻挡层14的材料比构成记录层13的材料具有更高的电阻。阻挡层14抑制热向上电极15辐射，极大地限制了施加写电流时的相变区。结果得到高的加热效率。上电极15自身可以用来构成位线，或者可以设置独立的位线。