半导体存储装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101009136A

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200710007282.8

    申请日:2007-01-25

    Inventor: 藤幸雄

    Abstract: 提供一种半导体存储装置,减小了相邻存储单元之间的加热造成的影响。存储单元具有:对应通电而发热的加热元件(12)、因加热而相变的硫族化物层(10)、以及对其进行驱动的晶体管(16、18)。位线(BL)在预定方向上延伸配设,并与存储单元电连接。字线(WL/WU),在与位线垂直的方向上延伸配设,与存储单元电连接。具有第1单元列和第2单元列,第1单元列在位线(BL)的延伸方向上以固定间隔2d在位置A1、A2、A3……上配设存储单元,第2单元列在位线(BL)的延伸方向上与第1单元列错开了d的位置B1、B2、B3……上配设存储单元,且在字线(WL/WU)的延伸方向上,以固定间隔e交替配设第1及第2单元列,以使存储单元呈棋盘上的方格状。

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