-
公开(公告)号：CN101101791B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710127402.8
申请日：2007-07-05
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 中井洁
CPC classification number: G11C8/08 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/79
Abstract: 提供了一种非易失性存储器，该非易失性存储器包括用于提供选择电压到与非易失性存储器件串联连接的选择晶体管的字线驱动电路。在第一时段中，该字线驱动电路施加第一选择电压VDD到所述选择晶体管的控制电极，以及在第一时段随后的第二时段中，施加高于第一选择电压VDD的第二选择电压VPP到该选择晶体管的控制电极。由此，逐渐地改变选择晶体管的电流驱动能力。因此，可以限制在引起快恢复时的所述选择晶体管的电流驱动能力。结果，由快恢复引起的过剩电流被抑制，由此降低了非易失性存储器件上造成的损坏。
-
公开(公告)号：CN101329910A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810109453.2
申请日：2008-06-12
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C13/0023 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/72
Abstract: 一种相变存储设备，包括：相变元件，用于通过改变电阻态来可重写地存储数据；存储单元，该存储单元排列在字线和位线的交叉处并且由串联连接的相变元件和二极管形成；选择晶体管，该选择晶体管形成于位于存储单元之下的扩散层中，用于响应于与栅极相连的字线的电势来有选择地控制二极管的阳极与地线之间的电连接；以及预充电电路，用于将位于与未选字线相对应的存储单元之下的扩散层预充电到预定电压并且用于将与所选字线相对应的存储单元之下的扩散层与预定电压断开。
-
公开(公告)号：CN100595930C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200610149326.6
申请日：2006-11-20
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/143 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 一种非易失半导体存储器件包括：多个下电极，其以矩阵的方式布置；多个记录层图案，其每个布置在下电极上，并且包含相变材料；以及层间绝缘膜，其提供在下电极和记录层图案之间，并且具有多个孔，用于暴露下电极的一部分。下电极和记录层图案在每个孔中连接。孔在X方向上相互平行地延伸。记录层图案在Y方向上相互平行地延伸。这样一来，与形成独立的孔相比，能够以更高的准确度形成孔。因此，能够获得高热效率，同时有效防止不良连接等的发生。
-
公开(公告)号：CN100492696C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610151788.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。
-
公开(公告)号：CN1929161A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610151788.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1819256A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006478.0
申请日：2006-02-09
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使多个相变存储器元件中的每一个与一个MOS晶体管的扩散层电连接。
-
公开(公告)号：CN101329910B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810109453.2
申请日：2008-06-12
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C13/0023 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/72
Abstract: 一种相变存储设备，包括：相变元件，用于通过改变电阻态来可重写地存储数据；存储单元，该存储单元排列在字线和位线的交叉处并且由串联连接的相变元件和二极管形成；选择晶体管，该选择晶体管形成于位于存储单元之下的扩散层中，用于响应于与栅极相连的字线的电势来有选择地控制二极管的阳极与地线之间的电连接；以及预充电电路，用于将位于与未选字线相对应的存储单元之下的扩散层预充电到预定电压并且用于将与所选字线相对应的存储单元之下的扩散层与预定电压断开。
-
公开(公告)号：CN101271918A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810096348.X
申请日：2008-02-25
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 中井洁
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0078 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 提供一种相变存储器装置，能不需进行核实动作，使电路构成、写入次序变简单，并且，能在以前的1位的存储器单元区域中写入2位。具有使用相变膜作为存储元件的存储器单元的相变存储器装置具有：形成于所述相变膜的一个面侧的第1相变区域；和在所述相变膜的其他面侧上与所述第1相变区域相对应的位置形成的第2相变区域，利用在所述第1相变区域及所述第2相变区域中的、基于非晶化的高电阻状态和基于结晶化的电阻值比所述高电阻状态低的低电阻状态的组合，来存储2位数据。
-
公开(公告)号：CN101211657A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710159893.4
申请日：2007-12-25
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 中井洁
CPC classification number: G11C7/22 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C8/06 , G11C8/10 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2207/2218 , G11C2207/2245
Abstract: 能隐蔽相变存储器等的比较长的写入时间，实现随机写入的半导体存储装置及其写入方法。其具备：读数据锁存器(101)，保持来自相变存储单元的读出数据并锁存从外部输入的写入数据；写数据锁存器(102)，在到写入开始为止的给定循环期间保持向存储单元的写入数据；以及传送开关(105)，控制读数据锁存器的输出向写数据锁存器的传送的有无，读数据锁存器保持从外部输入了的写入数据，经传送开关而被写数据锁存器存放，具备：比较电路(106)，判断被写数据锁存器保持的数据和读数据锁存器的数据是否一致；以及写标志锁存器(103)，锁存比较电路的输出，只在有写入请求存在，比较电路的比较结果表示不一致的场合，执行写入，只对必要的比特执行写入。
-
公开(公告)号：CN101101791A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127402.8
申请日：2007-07-05
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 中井洁
CPC classification number: G11C8/08 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/79
Abstract: 提供了一种非易失性存储器，该非易失性存储器包括用于提供选择电压到与非易失性存储器件串联连接的选择晶体管的字线驱动电路。在第一时段中，该字线驱动电路施加第一选择电压VDD到所述选择晶体管的控制电极，以及在第一时段随后的第二时段中，施加高于第一选择电压VDD的第二选择电压VPP到该选择晶体管的控制电极。由此，逐渐地改变选择晶体管的电流驱动能力。因此，可以限制在引起快恢复时的所述选择晶体管的电流驱动能力。结果，由快恢复引起的过剩电流被抑制，由此降低了非易失性存储器件上造成的损坏。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.021 seconds)
