公开(公告)号：CN101329910B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810109453.2

申请日：2008-06-12

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 中井洁 ,  塚田修一 ,  城野雄介

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/08 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0023 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种相变存储设备，包括：相变元件，用于通过改变电阻态来可重写地存储数据；存储单元，该存储单元排列在字线和位线的交叉处并且由串联连接的相变元件和二极管形成；选择晶体管，该选择晶体管形成于位于存储单元之下的扩散层中，用于响应于与栅极相连的字线的电势来有选择地控制二极管的阳极与地线之间的电连接；以及预充电电路，用于将位于与未选字线相对应的存储单元之下的扩散层预充电到预定电压并且用于将与所选字线相对应的存储单元之下的扩散层与预定电压断开。

公开(公告)号：CN100533591C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610101909.1

申请日：2006-07-11

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 塚田修一

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4094 ,  G11C29/83

Abstract: 本发明的电流限制电路，具备：包含源极被施加给定的电源电压，经由漏极而供给输出电流的第1PMOS晶体管，把该输出电流的大小限制在给定的限制电流的范围内的电流限制元件；以及通过进行反馈控制，使得在动作特性大体上与第1PMOS晶体管相同的第2PMOS晶体管中流过了给定的电流的状态下，给定的电源电压和向第1PMOS晶体管供给的栅极电压的差与第2PMOS晶体管的阈值电压一致，从而产生所述栅极电压的栅极电压产生电路。

公开(公告)号：CN1897155A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101909.1

申请日：2006-07-11

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 塚田修一

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4094 ,  G11C29/83

Abstract: 本发明的电流限制电路，具备：包含源极被施加给定的电源电压，经由漏极而供给输出电流的第1PMOS晶体管，把该输出电流的大小限制在给定的限制电流的范围内的电流限制元件；以及通过进行反馈控制，使得在动作特性大体上与第1PMOS晶体管相同的第2PMOS晶体管中流过了给定的电流的状态下，给定的电源电压和向第1PMOS晶体管供给的栅极电压的差与第2PMOS晶体管的阈值电压一致，从而产生所述栅极电压的栅极电压产生电路。