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公开(公告)号：CN104064514A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410025125.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4853 , H01L21/76877 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/08235 , H01L2224/131 , H01L2224/16235 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/1306 , H01L2924/351 , H05K1/0298 , H05K1/0326 , H05K1/0346 , H05K1/115 , H05K2201/0154 , H05K2201/09136 , H05K2201/10734 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 一种半导体器件制造方法和半导体安装基板。该半导体器件制造方法包括：第一处理，用于将第二基板放置在第一基板上，在第一基板上形成有轨迹线和第一电极，第一电极中的每个连接到轨迹线中的一个，在第二基板中布置有与第一电极相对应的通孔以及中继构件，中继构件中的每个由焊料形成、穿透通过通孔中的一个、以及从通孔中的一个的两端伸出，以使得在平面图中第一电极与通孔对准；第二处理，用于在第一处理之后融化中继构件，以使得中继构件连接到第一电极；以及第三处理，用于在第二处理之后将半导体基板放置在第二基板的与第一基板相反的一侧上，在半导体基板上形成有与第一电极相对应的第二电极，以将第一电极和第二电极经由中继构件彼此连接。
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公开(公告)号：CN104182562B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410181044.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , H05K1/0245 , H05K1/0248 , H05K1/0366 , H05K3/0005 , H05K2201/029
Abstract: 本发明涉及模拟方法和模拟设备。对第一布线板内部结构模型的多个位置模式和第二布线板内部结构模型的多个位置模式进行三维电磁场分析来计算偏斜(步骤S20)，第一布线板内部结构模型包括差动线上侧的一个玻璃布，第二布线板内部结构模型包括差动线下侧的一个玻璃布，并且关于多个布线板模式对计算出的偏斜求和，来计算总偏斜，其中多个布线板模式是通过对由组合第一模型的多个位置模式获得的多个组合模式和由组合第二模型的多个位置模式获得的多个组合模式进行组合而构成的，然后基于总偏斜来获取具有特定线长度的布线板中的偏斜分布(步骤S30)。
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公开(公告)号：CN108781513A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780018829.6
申请日：2017-03-24
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 提供高可靠性的配线基板、电子装置以及配线基板的制造方法。配线基板包括：绝缘层，其具有第一面和所述第一面的相反侧的第二面，在所述第一面上安装电子部件；导电层，其配设于所述第二面；通孔，其设置在贯穿所述绝缘层的所述第一面与所述第二面之间的贯穿孔的内部；电极，其配设于所述第一面，且连接于所述通孔；以及玻璃板，其配设于所述第一面，且具有露出所述电极的孔部。
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公开(公告)号：CN101047159B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200610107505.3
申请日：2006-07-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H01L21/60 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/281 , H01L21/563 , H01L23/145 , H01L23/4922 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H05K3/4644 , H05K2201/029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种多层互连基板、半导体装置及阻焊剂，该多层互连基板包括：树脂层叠结构，其中层叠设置有多个内建层，所述多个内建层中的每一层均包括绝缘层及互连图案；及包括阻焊剂树脂合成物且设置在所述树脂层叠结构的顶面及底面的第一和第二阻焊剂层，其中，所述第一和第二阻焊剂层的每一层均包括玻璃纤维织物；其中，所述玻璃纤维织物包含组织高度稀松的织物。
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公开(公告)号：CN101641699A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200780051987.8
申请日：2007-03-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/00 , G06F17/5018 , G06F2217/16 , G06F2217/44 , G06F2217/80 , H05K1/0271 , H05K3/0005 , H05K3/30
Abstract: 本发明提供一种分析装置、分析方法以及分析程序。第一生成部(311)将分析对象物分割成多个有限单元，并生成单元分割数据(334)。第一计算部(312)定义并计算出多个网格，该网格用于以比有限单元大的单位分割分析对象物。第二生成部(313)假设在导电材料和复合板材之间的界面上存在厚度为“0”且使导电材料和复合板材之间的摩擦系数变为小于1的规定值的摩擦层，并在此基础上生成网格数据(335)。第二计算部(314)利用各种求解器，基于网格数据(335)来计算在分析对象物中产生的物理量，并输出分析结果。即，第二计算部(314)对分析对象物的变化状况进行模拟。在用户设定的任意温度范围内进行该模拟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047159A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610107505.3
申请日：2006-07-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H01L21/60 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/281 , H01L21/563 , H01L23/145 , H01L23/4922 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H05K3/4644 , H05K2201/029 , H01L2924/00
Abstract: 一种多层互连基板，包括：树脂层叠结构，其中层叠设置有多个内建层，所述多个内建层中的每一层均包括绝缘层及互连图案；及设置在所述树脂层叠结构的顶面及底面的第一和第二阻焊剂层，其中，所述第一和第二阻焊剂层的每一层均包括玻璃纤维织物。
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公开(公告)号：CN104064514B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410025125.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4853 , H01L21/76877 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/08235 , H01L2224/131 , H01L2224/16235 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/1306 , H01L2924/351 , H05K1/0298 , H05K1/0326 , H05K1/0346 , H05K1/115 , H05K2201/0154 , H05K2201/09136 , H05K2201/10734 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件制造方法。该半导体器件制造方法包括：第一处理，用于将第二基板放置在第一基板上，在第一基板上形成有轨迹线和第一电极，第一电极中的每个连接到轨迹线中的一个，在第二基板中布置有与第一电极相对应的通孔以及中继构件，中继构件中的每个由焊料形成、穿透通过通孔中的一个、以及从通孔中的一个的两端伸出，以使得在平面图中第一电极与通孔对准；第二处理，用于在第一处理之后融化中继构件，以使得中继构件连接到第一电极；以及第三处理，用于在第二处理之后将半导体基板放置在第二基板的与第一基板相反的一侧上，在半导体基板上形成有与第一电极相对应的第二电极，以将第一电极和第二电极经由中继构件彼此连接。
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公开(公告)号：CN104182562A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410181044.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , H05K1/0245 , H05K1/0248 , H05K1/0366 , H05K3/0005 , H05K2201/029
Abstract: 本发明涉及模拟方法和模拟设备。对第一布线板内部结构模型的多个位置模式和第二布线板内部结构模型的多个位置模式进行三维电磁场分析来计算偏斜(步骤S20)，第一布线板内部结构模型包括差动线上侧的一个玻璃布，第二布线板内部结构模型包括差动线下侧的一个玻璃布，并且关于多个布线板模式对计算出的偏斜求和，来计算总偏斜，其中多个布线板模式是通过对由组合第一模型的多个位置模式获得的多个组合模式和由组合第二模型的多个位置模式获得的多个组合模式进行组合而构成的，然后基于总偏斜来获取具有特定线长度的布线板中的偏斜分布(步骤S30)。
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公开(公告)号：CN102082129B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010510337.9
申请日：2010-10-14
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 水谷大辅
CPC classification number: H05K1/147 , H01L21/76898 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K1/0218 , H05K1/141 , H05K3/222 , H05K3/3436 , H05K3/363 , H05K2201/0379 , H05K2201/0715 , H05K2201/09063 , H05K2201/092 , H05K2201/10666 , H05K2201/10734 , H05K2203/167 , Y02P70/613 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，使半导体部件和电路基板易于对位。半导体器件具有：第一电路基体材料(20)，在其表面上形成有多个第一电极(22)；第二电路基体材料(30)，其设置在第一电路基体材料(20)的上方，在第一电极(22)中的每个第一电极(22)的上方形成有第一贯通孔(30a)和第二贯通孔(30b)；半导体封装(50)，其设置在第二电路基体材料(30)的上方；多个第一凸起(51)，其设置在第一贯通孔(30a)和第二贯通孔(30b)内，连接第一电极(22)和半导体封装(50)。
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公开(公告)号：CN101641699B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200780051987.8
申请日：2007-03-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/00 , G06F17/5018 , G06F2217/16 , G06F2217/44 , G06F2217/80 , H05K1/0271 , H05K3/0005 , H05K3/30
Abstract: 本发明提供一种分析装置、分析方法以及分析程序。第一生成部(311)将分析对象物分割成多个有限单元，并生成单元分割数据(334)。第一计算部(312)定义并计算出多个网格，该网格用于以比有限单元大的单位分割分析对象物。第二生成部(313)假设在导电材料和复合板材之间的界面上存在厚度为“0”且使导电材料和复合板材之间的摩擦系数变为小于1的规定值的摩擦层，并在此基础上生成网格数据(335)。第二计算部(314)利用各种求解器，基于网格数据(335)来计算在分析对象物中产生的物理量，并输出分析结果。即，第二计算部(314)对分析对象物的变化状况进行模拟。在用户设定的任意温度范围内进行该模拟。
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