公开(公告)号：CN1783437A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510065239.8

申请日：2005-04-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大田裕之 ,  大越克明 ,  森年史

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/02115 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开一种制造半导体器件的方法，该半导体器件设置有侧壁层，该侧壁层具有高质量和非常好的形状。使用含碳氮氧化硅膜形成栅极电极侧壁上的侧壁层。这种膜可以使用BTBAS和氧气作为原材料通过CVD法来形成，其中适当设定BTBAS流速/氧气流速之比，且设定较低的膜形成温度，例如约530℃。当使用这种膜形成侧壁层时，由于氮原子和碳原子的作用，可以实现HF抗蚀性的改善和边缘电容的减少。此外，当在低温条件下形成这种膜时，可以抑制引入半导体衬底中的杂质不必要的扩散。因此，可加强和稳定晶体管特性，从而可实现半导体器件的高性能和高质量。

公开(公告)号：CN101315890A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810109564.3

申请日：2008-06-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉泽和隆 ,  姊崎彻 ,  大越克明 ,  森下辉规 ,  和田一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76264 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

Abstract: 根据实施例的方案的一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在多个硅衬底的后表面上形成第一绝缘膜；将所述多个硅衬底退火，以使所述第一绝缘膜中的氧化物脱气；以及将所述硅衬底退火之后，以成批处理的方式将所述多个硅衬底的表面氧化。

公开(公告)号：CN1881586A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510103956.5

申请日：2005-09-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 森年史 ,  大越克明 ,  渡边崇史 ,  大田裕之

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其具有形成于硅衬底上用以限定器件区的STI结构的器件隔离区，其中该器件隔离区包含形成于该硅衬底中的器件隔离槽，以及填充该器件隔离槽的器件隔离绝缘膜。至少该器件隔离绝缘膜的表面部分由抗HF膜形成。