公开(公告)号：CN1487598A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03155567.5

申请日：2003-08-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 森年史

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834

Abstract: 一个栅极形成在半导体基片的部分表面上，一个栅绝缘膜被插入在它们之间。第一半导体膜形成在栅极的两侧上的半导体基片的表面上，该第一半导体膜与栅极相隔离。杂质扩散区形成在每个第一半导体膜中。外延区形成在栅极的两侧上的半导体基片的表面层中。该外延区被掺杂有与杂质扩散区相同导电型的杂质，并且连接到相应一个杂质扩散区。侧壁衬垫由绝缘材料所制成并且形成在栅极的侧壁上，该侧壁衬垫延伸出在栅极侧面上的第一半导体膜的边界并且覆盖第一半导体膜的部分表面。

公开(公告)号：CN1783437A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510065239.8

申请日：2005-04-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大田裕之 ,  大越克明 ,  森年史

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/02115 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开一种制造半导体器件的方法，该半导体器件设置有侧壁层，该侧壁层具有高质量和非常好的形状。使用含碳氮氧化硅膜形成栅极电极侧壁上的侧壁层。这种膜可以使用BTBAS和氧气作为原材料通过CVD法来形成，其中适当设定BTBAS流速/氧气流速之比，且设定较低的膜形成温度，例如约530℃。当使用这种膜形成侧壁层时，由于氮原子和碳原子的作用，可以实现HF抗蚀性的改善和边缘电容的减少。此外，当在低温条件下形成这种膜时，可以抑制引入半导体衬底中的杂质不必要的扩散。因此，可加强和稳定晶体管特性，从而可实现半导体器件的高性能和高质量。

公开(公告)号：CN1881586A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510103956.5

申请日：2005-09-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 森年史 ,  大越克明 ,  渡边崇史 ,  大田裕之

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其具有形成于硅衬底上用以限定器件区的STI结构的器件隔离区，其中该器件隔离区包含形成于该硅衬底中的器件隔离槽，以及填充该器件隔离槽的器件隔离绝缘膜。至少该器件隔离绝缘膜的表面部分由抗HF膜形成。