公开(公告)号：CN101315890A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810109564.3

申请日：2008-06-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉泽和隆 ,  姊崎彻 ,  大越克明 ,  森下辉规 ,  和田一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76264 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

Abstract: 根据实施例的方案的一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在多个硅衬底的后表面上形成第一绝缘膜；将所述多个硅衬底退火，以使所述第一绝缘膜中的氧化物脱气；以及将所述硅衬底退火之后，以成批处理的方式将所述多个硅衬底的表面氧化。