公开(公告)号：CN1881586A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510103956.5

申请日：2005-09-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 森年史 ,  大越克明 ,  渡边崇史 ,  大田裕之

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其具有形成于硅衬底上用以限定器件区的STI结构的器件隔离区，其中该器件隔离区包含形成于该硅衬底中的器件隔离槽，以及填充该器件隔离槽的器件隔离绝缘膜。至少该器件隔离绝缘膜的表面部分由抗HF膜形成。