公开(公告)号：CN118086847A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410254849.5

申请日：2024-03-06

Applicant: 季华实验室

Inventor： 刘镭 ,  郭远军 ,  武帅 ,  杨振怀 ,  张川东 ,  刘宏 ,  胡琅 ,  胡强

IPC: C23C14/35

Abstract: 本申请属于磁控溅射粉末镀膜的技术领域，公开了一种粉末镀膜装置及其镀膜方法，该镀膜方法包括：响应于工作人员输入的启动指令，粉末镀膜装置驱动转台围绕转台的中心进行转动、驱动斜向样品台围绕斜向样品台的中心进行自转以及驱动磁控靶溅射镀膜原材料，以使镀膜原材料均匀地附着在斜向样品台内流动的粉末的表面，预设周期后，粉末镀膜装置驱动所有部件停止运行，得到表面镀膜均匀的粉末，通过粉末镀膜装置及对应的镀膜方法，对粉末进行镀膜，提高了粉末镀膜的效率。

公开(公告)号：CN117904584A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410112954.5

申请日：2024-01-26

Applicant: 季华实验室

Inventor： 武帅 ,  郭可升 ,  刘镭 ,  何斌 ,  刘宏 ,  李昕

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/54

Abstract: 本申请提供了一种脉冲激光沉积设备及其使用方法，涉及薄膜制备技术领域。通过在放置台和沉积台之间设置加热线圈，靶材的溅射物会向上飞出穿过加热线圈，溅射物中的大颗粒会受到重力作用向下跌落，还有部分杂质跟随溅射物继续向上，在穿过加热线圈时，这些杂质会被加热线圈进行加热离化形成等离子体，达到过滤杂质的作用以及避免了等离子体的浪费，同时提高了总的等离子体密度，从而提高薄膜的沉积效果，最后，待沉积工件表面的沉积物几乎为等离子体，减少了杂质污染的可能性；另外，由于杂质在加热线圈中被加热离化形成等离子体，这部分等离子体到待沉积工件的表面距离比较短，能够增加待沉积工件表面的等离子体密度，从而有利于提高沉积效率。