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公开(公告)号：CN119772295A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510266981.2
申请日：2025-03-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种控制功率电子器件大面积热界面连接空洞率的装置及方法，装置部分通过优化钢网印刷模块的网格结构形状设计，确保焊膏层中的有机溶剂和水汽能够顺畅排出，从而有效减少了焊接过程中的空洞率；方法部分通过回流焊接工艺的优化，包括升温过程、保温过程、预回流和回流过程等各个阶段的温度控制及真空度优化，适当延长了气体的逸出时间，使得空洞率控制在1%以下，降低了界面热阻，提高了散热性能。本发明通过优化设计和工艺使得生产过程简化，操作更加便捷且成本低，适用于大规模生产；同时由于空洞率得到有效控制，生产过程中产品质量一致性得以保障，提高了功率电子器件的散热效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115662966B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202211328767.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/373 , B23K35/362
Abstract: 本发明提供一种功率电子器件高效散热的界面连接结构及制备方法，包括第一低温钎料层和第二低温钎料层，二者之间放置金属‑金属泡沫复合材料，该金属‑金属泡沫复合材料具有结构与性能可设计性，可根据所选功率器件封装材料对热界面连接结构的热导率以及热膨胀系数进行调配，实现散热效率和各封装材料之间热膨胀系数匹配度的双向同步提升。第一低温钎料层位于上侧基体与金属‑金属泡沫复合材料之间，第二低温钎料层位于金属‑金属泡沫复合材料与下侧基体之间。在回流焊及后续的服役过程中，两侧低温钎料中的降熔元素与金属‑金属泡沫复合材料中的中高温无铅钎料双向扩散，致使连接结构的重熔温度高于低温钎料层熔点，实现“低温连接，高温服役”。
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公开(公告)号：CN117210895A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311325145.4
申请日：2023-10-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种精确控制Au‑Sn合金镀层成分的电镀方法，属于电镀技术领域。在相匹配的Au‑Sn合金电镀液中利用由两个不同的正向周期方波脉冲电流组成的电流组电镀制备设定成分的(AuSn/Au5Sn)n镀层(n＝1,2,…,n)。微纳尺度的AuSn相和Au5Sn相组成了(AuSn/Au5Sn)复合相，n为电流组和复合相周期重复的次(个)数。基于质量守恒定律，计算(AuSn/Au5Sn)复合相中两相之厚度比，控制两个不同的正向周期方波脉冲电流的峰值电流密度、电镀时间和n值，获得成分可精准调控的Au‑Sn合金镀层，其成分偏差小于1.0％，重现性可达98％以上，可应用于微电子与光电子器件的封装技术中。
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公开(公告)号：CN115662966A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211328767.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/373 , B23K35/362
Abstract: 本发明提供一种功率电子器件高效散热的界面连接结构及制备方法，包括第一低温钎料层和第二低温钎料层，二者之间放置金属‑金属泡沫复合材料，该金属‑金属泡沫复合材料具有结构与性能可设计性，可根据所选功率器件封装材料对热界面连接结构的热导率以及热膨胀系数进行调配，实现散热效率和各封装材料之间热膨胀系数匹配度的双向同步提升。第一低温钎料层位于上侧基体与金属‑金属泡沫复合材料之间，第二低温钎料层位于金属‑金属泡沫复合材料与下侧基体之间。在回流焊及后续的服役过程中，两侧低温钎料中的降熔元素与金属‑金属泡沫复合材料中的中高温无铅钎料双向扩散，致使连接结构的重熔温度高于低温钎料层熔点，实现“低温连接，高温服役”。
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公开(公告)号：CN104701249A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510069933.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , B23K1/00
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形成温度梯度。利用所述方法制备的金属间化合物填充的三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明在一定温度梯度下进行钎焊反应，加速金属间化合物的形成和生长速率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120026380A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510036844.X
申请日：2025-01-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磺酸体系的Sn‑Ag微凸点电镀液及其制备方法与应用，包括以下的组分：磺酸、锡盐、银盐、络合剂、晶粒细化剂、整平剂、分散剂、稳定剂；络合剂包括含硫吡啶类化合物和硫脲类化合物；晶粒细化剂为花色素类化合物；整平剂为不饱和羰基类化合物；分散剂为高分子量嵌段共聚物；稳定剂为苯酚类化合物。本发明的电镀液具有高电流效率，可有效调控微凸点形貌，提升其平整性和共面性，适用于高电流密度下在晶圆上形成微米级致密、平滑的Sn‑Ag微凸点，应用于高密度集成电路芯片的互连制造。
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公开(公告)号：CN119736676A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510237651.0
申请日：2025-03-03
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种巯基磺酸无氰镀金电镀液及其制备方法与应用，属于电镀技术领域，巯基磺酸无氰镀金电镀液包括金源、络合剂、添加剂和pH缓冲剂；金源为巯基磺酸金盐；巯基磺酸无氰镀金电镀液的pH为2~13。本发明提供的巯基磺酸无氰镀金电镀液不含有剧毒物质，采用的巯基磺酸金盐具有较高的稳定性，使巯基磺酸无氰镀金电镀液具有较高的稳定性和较长的使用寿命，即使在高低温变化、光照、长时间存储或长时间电镀后仍保持澄清透明状态和相同电镀效果，从而有效保证电镀得到的镀金件性能，镀金件纯度大于99.9%、结合性良好、孔隙率低、平整致密、外观金黄光亮，有利于在电子器件和半导体制造中应用。
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公开(公告)号：CN105780071B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610343759.9
申请日：2016-05-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au‑Sn合金镀液及其制备方法，以及利用该无氰Au‑Sn合金镀液进行电镀的方法，属于电镀领域。一种无氰Au‑Sn合金镀液，由下述原料组分制得：金离子0.01～0.08mol/L，亚锡离子0.02～0.24mol/L，亚锡离子络合剂0.12～2.40mol/L，乙内酰脲及其衍生物0.08～1.50mol/L，亚硫酸盐0.06～2.00mol/L，稳定剂0.01～0.30mol/L，亚锡离子抗氧化剂0.02～0.06mol/L。本发明无氰金‑锡镀液具有较高的稳定性、镀层成分可控、制备方法简便、易于操作、废液易于回收等特点，室温下镀液可以长期保存(2个月以上)，因此有望应用于实际的生产中。
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公开(公告)号：CN104651898B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510065103.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D11/00
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将涂覆焊剂的第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时施加直流电流形成电流密度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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公开(公告)号：CN104701249B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201510069933.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , B23K1/00
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形成温度梯度。利用所述方法制备的金属间化合物填充的三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明在一定温度梯度下进行钎焊反应，加速金属间化合物的形成和生长速率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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