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公开(公告)号：CN119783539A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411972348.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , G16C10/00 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供一种基于机器学习和分子动力学的仿真方法及相关装置，应用于半导体制造领域，在接收工艺菜单后；针对工艺菜单中的每一个工艺条件，将工艺条件输入至力场预测模型，输出得到所述工艺条件下的机器学习力场；最后，依据所述工艺条件下的机器学习力场进行分子动力学仿真，得到所述工艺条件下的仿真结果。通过机器学习方法，学习高精度的第一性原理计算数据，生成机器学习力场，模拟碳化硅在离子注入过程中发生的相互作用，从而对离子注入工艺进行仿真，实现高精度和高效的仿真计算，进而综合考虑不同工艺条件对器件设计工艺的影响，开发特定的工艺菜单，为碳化硅离子注入提供优化方案。
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公开(公告)号：CN119486194A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411718788.X
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本申请提供了一种具有周期性变化沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一表面内的多个沟槽栅极，所述沟槽栅极在第一方向依次间隔设置，相邻所述沟槽栅极之间的所述第一表面内具有源区；位于所述第一表面上的源极，所述源极与所述源区电连接，且与所述沟槽栅极之间绝缘；其中，在第二方向上，所述沟槽栅极包括依次交替设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的深度大于所述第二区域的深度；所述第一方向与所述第二方向均平行于所述第一表面，且二者垂直；所述第二方向为所述沟槽栅极的延伸方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118650509B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410822201.3
申请日：2024-06-24
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: B24B7/22 , B24B41/047 , B24B55/00 , B24B49/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨主轴及半导体研磨设备，包括：支撑基座；主轴本体，通过磁浮装置支撑于所述支撑基座上，所述主轴本体的一端用于设置研磨盘，且所述磁浮装置至少包括轴向磁浮组件和径向磁浮组件，所述轴向磁浮组件用于为所述主轴本体提供轴向上的支撑力，所述径向磁浮组件用于为所述主轴本体提供径向上的支撑力。本发明在主轴本体和支撑基座之间构建磁场产生相互作用力，以使得主轴本体处于悬浮状态，形成没有机械接触式的转动支撑，因此摩擦损耗较小，而且因没有摩擦，避免了因磨损导致精度降低的问题，而且不需要气体作为润滑剂，因此可避免通入气体带来的污染问题。
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公开(公告)号：CN119545851A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411720930.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本申请提供了一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：外延层，具有相对的第一表面和第二表面；位于所述第一表面内的多个主沟槽栅极，所述主沟槽栅极在第一方向依次间隔设置；相邻两个所述主沟槽栅极之间的所述第一表面内，具有多个依次排布的辅沟槽栅极；所述辅沟槽栅极的深度小于所述主沟槽栅极的深度。在相邻的主沟槽栅极之间设置辅沟槽栅极，提高了沟道的密度的同时，降低了相邻两个沟槽栅极之间的距离加强对沟槽栅极的控制，提高了等效载流子迁移率以及反型载流子浓度，进而降低了沟道电阻。
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公开(公告)号：CN118655163B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN118655163A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN118650509A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410822201.3
申请日：2024-06-24
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: B24B7/22 , B24B41/047 , B24B55/00 , B24B49/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨主轴及半导体研磨设备，包括：支撑基座；主轴本体，通过磁浮装置支撑于所述支撑基座上，所述主轴本体的一端用于设置研磨盘，且所述磁浮装置至少包括轴向磁浮组件和径向磁浮组件，所述轴向磁浮组件用于为所述主轴本体提供轴向上的支撑力，所述径向磁浮组件用于为所述主轴本体提供径向上的支撑力。本发明在主轴本体和支撑基座之间构建磁场产生相互作用力，以使得主轴本体处于悬浮状态，形成没有机械接触式的转动支撑，因此摩擦损耗较小，而且因没有摩擦，避免了因磨损导致精度降低的问题，而且不需要气体作为润滑剂，因此可避免通入气体带来的污染问题。
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