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公开(公告)号：CN102544354B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010262424.7
申请日：2010-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种集成于铜互连后端结构的CuxO电阻型存储器及其制备方法。该存储器包括铜引线下电极、CuxO存储介质层、上电极；其中，铜引线包括覆盖于电镀铜之上的第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层，CuxO存储介质层氧化形成于第一铜籽晶层上。其制备方法包括：提供铜互连后端结构的铜引线；在铜引线上构图依次形成第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层；对铜籽晶层构图氧化形成CuxO存储介质层；在CuxO存储介质层上形成上电极。其中，1＜x≤2。该CuxO电阻型存储器是对铜籽晶层氧化形成，存储特性得以大大提高，尤其是在均匀性方面和薄膜品质的可控性方面。
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公开(公告)号：CN102544354A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010262424.7
申请日：2010-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种集成于铜互连后端结构的CuxO电阻型存储器及其制备方法。该存储器包括铜引线下电极、CuxO存储介质层、上电极；其中，铜引线包括覆盖于电镀铜之上的第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层，CuxO存储介质层氧化形成于第一铜籽晶层上。其制备方法包括：提供铜互连后端结构的铜引线；在铜引线上构图依次形成第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层；对铜籽晶层构图氧化形成CuxO存储介质层；在CuxO存储介质层上形成上电极。其中，1＜x≤2。该CuxO电阻型存储器是对铜籽晶层氧化形成，存储特性得以大大提高，尤其是在均匀性方面和薄膜品质的可控性方面。
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公开(公告)号：CN117794327A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211199574.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种能够响应多巴胺刺激的化学突触器件及其制备和应用，该化学突触器件的制备过程包括以下步骤：(1)结合硬掩模技术，通过电子束蒸发工艺在衬底上依次沉积Ti与Au，得到器件主体，并定义出器件主体的源极、漏极、栅极和沟道区域；(2)往PEDOT:PSS中依次加入溶剂、表面活性剂和交联剂，室温下搅拌，得到混合均匀的沟道材料溶液；(3)采用氧气plasma处理器件主体的表面，接着以PDMS作为阻挡层，将所配置的沟道材料溶液旋涂在指定区域，旋涂完毕后烘干，得到化学突触器件，即为目标产物。与现有技术相比，本发明能够感知生物神经递质，并对多巴胺刺激做出响应等。
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公开(公告)号：CN101740717B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200910145691.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN101894907B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200910051873.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , G11C11/56 , H01L21/8238
Abstract: 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102332454B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010226845.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246 , G11C17/16 , G11C17/18
CPC classification number: H01L27/112 , G11C17/00 , H01L21/768 , H01L23/5252 , H01L23/538 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，其中，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个以上所述及的一次可编程存储单元。该OTP单元以及OTP具有编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强的特点，并且其制备方法相对简单、成本低。
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公开(公告)号：CN102347440A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010242549.3
申请日：2010-08-02
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器包括下电极、第一金属材料的上电极以及置于所述上电极和下电极之间的基于第二金属材料的金属氧化物存储介质层，所述第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于所述第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，所述上电极在接触所述金属氧化物存储介质层的界面处、被部分氧化形成第一金属的金属氧化物层。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及关态电阻（高阻态）高、高低阻窗口大、数据保持能力好的优点，大大提高了电阻型存储器的存储器性能；并且其制备方法相对简单。
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公开(公告)号：CN102339948A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010228039.0
申请日：2010-07-16
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/101 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种高一致性的电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第一介质层的交界区域、并仅暴露下电极的中部区域；以第二介质层和边墙为掩膜氧化形成的存储介质层；以及上电极。该电阻型存储器一致性和可靠性高，单元尺寸小、有利于提高存储特性。以该电阻型存储器形成的电阻型存储器阵列，多个电阻型存储器之间的一致性高。
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公开(公告)号：CN102044630A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910197210.3
申请日：2009-10-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于溅射铜制备的CuSiO电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括上电极、铜下电极以及设置在所述上电极和所述铜下电极之间的CuSiO存储介质，其中，所述铜下电极是溅射铜下电极，所述溅射铜下电极表层被硅化处理以形成CuSi化合物缓冲层，所述CuSi化合物缓冲层被氧化处理以形成所述CuSiO存储介质。该CuSiO存储介质的性能良好，尤其能使存储器具有低阻态电阻更高、各单元之间一致性更好，并且该存储器易于与铜互连后端工艺集成，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN101882462A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910050945.3
申请日：2009-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器的置位操作方法。本发明通过脉冲幅度以步进式增长的多个脉冲对电阻随机存储器进行一次置位操作，使每个电阻随机存储器、或者每个电阻随机存储器的每次置位操作在最合适的置位操作电压上进行，避免了置位操作中“过编程”的现象，从而提高电阻随机存储器置位后的Ron值，有利于降低后续复位操作的功耗。
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