公开(公告)号：CN119341543A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411193053.X

申请日：2024-08-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄张成 ,  唐唯译 ,  王建禄

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/20 ,  H03K19/094 ,  H03K17/22 ,  H03K5/05 ,  H03K5/22

Abstract: 本发明涉及一种暗电流剔除电路，用于对光电探测器中的暗电流进行复制并剔除，包括：动态比较器，对读出电路中CTIA的输出结果进行比较判断，根据判断结果将窄脉冲发生电路将生成的脉冲施加到电荷泵电路的充电或放电开关；窄脉冲发生电路，其控制信号根据电荷泵电路中的第一PMOS管的栅极电压生成，在动态比较器的时钟上升沿到来时基于控制信号控制窄脉冲发生电路生成宽度可调的窄脉冲，施加至电荷泵电路的电荷泵充放电开关；电荷泵电路，包括用于产生暗电流反向复制的第一PMOS管以及与第一PMOS管的栅极连接的电荷泵充放电开关。与现有技术相比，本发明具有大动态范围、自适应剔除等优点。

公开(公告)号：CN118139518A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410236568.7

申请日：2024-03-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴广健 ,  曾金华 ,  王建禄

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及一种人工突触器件，具体涉及一种用于神经形态计算的多感知铁电半导体突触器件及其制备方法和应用，所述的突触器件具有石墨烯/铁电半导体/石墨烯的垂直堆叠结构；其中，所述的石墨烯为多层石墨烯；所述的突触器件通过脉冲电压控制铁电半导体的极化状态，进而调节界面肖特基势垒高度，从而实现电导和响应率的神经网络权重的非易失线性调节。与现有技术相比，本发明解决现有技术中制备困难，无法获取电导和响应率中间态信息，进而无法用于神经形态计算的缺陷，本方案利用器件极化可调的响应率和电导两种权重，使集成的电突触和光电突触器件能够模拟类视网膜的图像前端卷积处理和类脑的高级图像识别处理。

公开(公告)号：CN117497632A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311537602.6

申请日：2023-11-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王建禄 ,  巴坤 ,  狄云翔

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种基于MXene透明电极的红外量子点光电探测器及其制备和应用，利用热注入法制备不同尺寸的量子点，调控其均一性；随后，在设计有底电极的Si/SiO2基底上可控制备具有电子传输和空穴阻挡作用的金属氧化物薄膜；接着，通过配体交换技术在金属氧化物薄膜上制备厚度和掺杂类型可控的量子点光敏层；在此基础上制备作为透明电极的MXene纳米片薄膜，并对器件烘干处理；待器件完全干燥后，在调节入射光功率和波长的条件下，对器件的红外光电探测性能进行表征和成像验证。本发明中量子点类型和尺寸可调，MXene导电率和功函数可控，操作简单，成本低，MXene透明电极对光敏层的破坏率低，器件的灵敏度高，响应谱段宽。

公开(公告)号：CN118448504A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410425673.5

申请日：2024-04-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄海 ,  李湘 ,  王建禄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  C23C28/00 ,  C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C14/30 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种基于隧穿势垒控制的紫外光电探测器及制备方法。本发明紫外光电探测器，其中光吸收层与电荷传输层分离，并在二者中间插入一种隧穿介质层，通过两层之间的电荷隧穿势垒高度控制器件的光谱响应；其结构自下而上依次为：衬底、栅介质层、电荷储存层、势垒层、电荷传输层、金属电极；电荷储存层与电荷传输层之间被势垒层介质隔开；吸收层与电荷传输层绝缘；金属电极与电荷传输层形成欧姆接触，且不与电荷储存层接触。本发明利用隧穿势垒高度调控器件光谱响应，避免对宽禁带半导体的依赖，丰富材料的选择；光吸收与电荷传输分离，可提高器件光增益，提高器件探测灵敏度。

公开(公告)号：CN117199166A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202210612923.7

申请日：2022-05-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王建禄

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  G06N3/06

Abstract: 本发明涉及一种光响应探测器，具体涉及一种极化场调控的正负光响应探测器及其制备方法和应用，由衬底、栅电极、铁电层、低维半导体和源漏电极；栅电极设有一对，间隔固定设置于衬底上；铁电层固定设置于衬底上并完全包覆栅电极；低维半导体固定设置于铁电层上；源漏电极包括一源电极和一漏电极，分离设置于低维半导体两侧并固定设置于铁电层上。与现有技术相比，本发明基于PN内建电场工作的光电探测器具有高速高灵敏的特性；在脉冲电压调制下响应率由正到负连续线性可调。

公开(公告)号：CN119360910A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411193052.5

申请日：2024-08-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄张成 ,  唐唯译 ,  王建禄

IPC: G11C7/10 ,  G11C8/10 ,  G11C13/04

Abstract: 本发明涉及一种面向光电阵列的新型阵列读出电路与方法，其中读出电路包括列级控制电路、行级控制电路，列级控制电路由级联的触发器电路组成，通过配置触发器电路中的读出方式选择信号将读出电路配置为异步读出模式或同步读出模式，对阵列中的事件信息进行异步或同步读出；行级控制电路包括级联的触发器，每一级触发器的输出端连接前一级触发器的输入端，并输出对应的行选控制信号；异步读出模式下，列级控制电路和行级控制电路分别对应有各自的地址译码电路。与现有的同步读出方法相比，本发明实现了阵列内特征像元的高速读出，大幅度提高了读出速率，与现有的异步读出方法相比，本发明无像素内的异步仲裁电路，降低了像素电路的复杂度。

公开(公告)号：CN118756096A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410847296.4

申请日：2024-06-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈艳 ,  邰晓迟 ,  王建禄 ,  褚君浩

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于二维薄膜材料领域，具体涉及一种晶圆级碲薄膜及其制备方法和应用，通过离子束溅射沉积的方式沉积碲薄膜，随后进行退火热处理，得到晶圆级碲薄膜；通过控制离子束溅射沉积过程中离子源的电流和能量以及溅射时间，以控制碲薄膜的结晶质量以及厚度；通过将薄膜放置于常压惰性气体氛围中进行退火处理，薄膜的迁移率和压电性得到提升。与现有技术相比，本发明解决现有技术中晶圆级碲薄膜仅能达到微米级以及厚度较大而大面积碲薄膜质量较差的技术问题，本方案实现了晶圆级碲薄膜的生长。

公开(公告)号：CN218069873U

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202221353059.5

申请日：2022-05-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王建禄

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  G06N3/06

Abstract: 本实用新型涉及一种光响应探测器，具体涉及一种极化场调控的正负光响应探测器，由衬底、栅电极、铁电层、低维半导体和源漏电极；栅电极设有一对，间隔固定设置于衬底上；铁电层固定设置于衬底上并完全包覆栅电极；低维半导体固定设置于铁电层上；源漏电极包括一源电极和一漏电极，分离设置于低维半导体两侧并固定设置于铁电层上。与现有技术相比，本实用新型基于PN内建电场工作的光电探测器具有高速高灵敏的特性；在脉冲电压调制下响应率由正到负连续线性可调。