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公开(公告)号：CN117497632A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311537602.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于MXene透明电极的红外量子点光电探测器及其制备和应用，利用热注入法制备不同尺寸的量子点，调控其均一性；随后，在设计有底电极的Si/SiO2基底上可控制备具有电子传输和空穴阻挡作用的金属氧化物薄膜；接着，通过配体交换技术在金属氧化物薄膜上制备厚度和掺杂类型可控的量子点光敏层；在此基础上制备作为透明电极的MXene纳米片薄膜，并对器件烘干处理；待器件完全干燥后，在调节入射光功率和波长的条件下，对器件的红外光电探测性能进行表征和成像验证。本发明中量子点类型和尺寸可调，MXene导电率和功函数可控，操作简单，成本低，MXene透明电极对光敏层的破坏率低，器件的灵敏度高，响应谱段宽。
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公开(公告)号：CN112164806B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202011040799.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了PTFE中空纤维微孔气体扩散电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1，将PTFE中空纤维微孔管置于氧气或其它反应性气体等离子体中进行等离子体处理，调控PTFE中空纤维微孔管的亲疏水性；步骤2，通过化学镀方法、热蒸镀方法或溶液涂布、抽滤的方法在等离子体处理后的PTFE中空纤维微孔管的内外表面构建导电层；步骤3，使用绝缘硅胶将构建完导电层的PTFE中空纤维微孔管的一端封闭，使气体通道固定到PTFE中空纤维微孔管的微孔上，并在空气中自然干燥，得到PTFE中空纤维微孔气体扩散电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112164806A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011040799.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了PTFE中空纤维微孔气体扩散电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1，将PTFE中空纤维微孔管置于氧气或其它反应性气体等离子体中进行等离子体处理，调控PTFE中空纤维微孔管的亲疏水性；步骤2，通过化学镀方法、热蒸镀方法或溶液涂布、抽滤的方法在等离子体处理后的PTFE中空纤维微孔管的内外表面构建导电层；步骤3，使用绝缘硅胶将构建完导电层的PTFE中空纤维微孔管的一端封闭，使气体通道固定到PTFE中空纤维微孔管的微孔上，并在空气中自然干燥，得到PTFE中空纤维微孔气体扩散电极。
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公开(公告)号：CN113451139B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110700563.1
申请日：2021-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/385 , H01L21/02 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体，属于先进半导体器件技术领域，方法为：将TMDCs材料转移到含氟的超平PTFE基底上，从而构建了一种TMDs和PTFE的垂直异质界面，该界面对TMDCs具有高效的空穴掺杂调控，通过测定转移后的TMDCs的光谱结构和荧光寿命，表征其能带结构的变化，可确定实现对TMDCs的p型掺杂，获得p型掺杂的TMDCs半导体，从而扩展了在光电或电子器件上的应用。本发明实现了在室温下对二维TMDCs从n型到p型掺杂的转换，调节效果长期、稳定且适合大规模生产要求，方法操作简便，具有单原子层可控掺杂精度，通过含氟化合物的强电负性效应实现对二维TMDCs的空穴掺杂型。
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公开(公告)号：CN106245001A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610635718.7
申请日：2016-08-05
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/50
Abstract: 本发明属于六方氮化硼（h-BN）及其杂化结构制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备六方氮化硼及其杂化结构的方法。本发明以铜箔为基底，以固态硼烷氨络合物为硼源和氮源，利用等离子体增强化学气相沉积法制备六方氮化硼杂化结构，具体步骤包括：将基底和硼烷氨络合物置于石英舟中，然后置入等离子体增强化学气相沉积系统中，抽真空；将反应炉加热到相应温度，通入气体，然后将基底移动到炉子中心；调节系统压力，进行热处理；生长六方氮化硼及其杂化结构；冷却到室温。本发明工艺简单，操作简便，可控性强，并且能够实现对六方氮化硼及其杂化结构带隙的连续调控。
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公开(公告)号：CN113451139A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110700563.1
申请日：2021-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/385 , H01L21/02 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体，属于先进半导体器件技术领域，方法为：将TMDCs材料转移到含氟的超平PTFE基底上，从而构建了一种TMDs和PTFE的垂直异质界面，该界面对TMDCs具有高效的空穴掺杂调控，通过测定转移后的TMDCs的光谱结构和荧光寿命，表征其能带结构的变化，可确定实现对TMDCs的p型掺杂，获得p型掺杂的TMDCs半导体，从而扩展了在光电或电子器件上的应用。本发明实现了在室温下对二维TMDCs从n型到p型掺杂的转换，调节效果长期、稳定且适合大规模生产要求，方法操作简便，具有单原子层可控掺杂精度，通过含氟化合物的强电负性效应实现对二维TMDCs的空穴掺杂型。
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公开(公告)号：CN106245001B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610635718.7
申请日：2016-08-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于六方氮化硼（h‑BN）及其杂化结构制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备六方氮化硼及其杂化结构的方法。本发明以铜箔为基底，以固态硼烷氨络合物为硼源和氮源，利用等离子体增强化学气相沉积法制备六方氮化硼杂化结构，具体步骤包括：将基底和硼烷氨络合物置于石英舟中，然后置入等离子体增强化学气相沉积系统中，抽真空；将反应炉加热到相应温度，通入气体，然后将基底移动到炉子中心；调节系统压力，进行热处理；生长六方氮化硼及其杂化结构；冷却到室温。本发明工艺简单，操作简便，可控性强，并且能够实现对六方氮化硼及其杂化结构带隙的连续调控。
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