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公开(公告)号：CN113838928A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010584595.5
申请日：2020-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种高效率高线性射频GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源极，设置在衬底上方，漏极，设置在衬底上方与源极相对应，栅极，设置在衬底上方，位于源极与漏极之间，其中，源极和漏极均包括第一金属层，栅极包括第二金属层，源极和漏极呈非均匀多线条结构，该非均匀多线条结构具有多个长度不等的线条。源极的非均匀线条结构还能减小源欧姆接触的寄生电容Cgs，从而获得更好的线性度和fT。漏极的非均匀线条结构还能减小漏欧姆接触的寄生电容Cgd、Cds，从而获得更好的功率增益、fmax以及线性度。
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公开(公告)号：CN114078966B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202010811911.8
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。
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公开(公告)号：CN113541451B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010319721.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路，用于对外部输入的低压数字输入信号HI和LI进行处理并输出高侧输出信号HO和低侧输出信号LO，其特征在于，包括：输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧高效率输出驱动电路L、高侧预驱动电路、低延时高压电平移位电路、高侧高效率输出驱动电路H、栅压钳位电路、短路保护电路以及欠压保护电路。其中，数控高精度死区时间产生电路和低侧数控延时电路内部的延迟电路采用数字控制延时电路，栅压钳位电路具有第一PMOS晶体管M1L、第二PMOS晶体管M2L、NMOS晶体管M3L、比较器、钳位反相器和2输入或门。
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公开(公告)号：CN114078966A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010811911.8
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541451A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010319721.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路，用于对外部输入的低压数字输入信号HI和LI进行处理并输出高侧输出信号HO和低侧输出信号LO，其特征在于，包括：输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧高效率输出驱动电路L、高侧预驱动电路、低延时高压电平移位电路、高侧高效率输出驱动电路H、栅压钳位电路、短路保护电路以及欠压保护电路。其中，数控高精度死区时间产生电路和低侧数控延时电路内部的延迟电路采用数字控制延时电路，栅压钳位电路具有第一PMOS晶体管M1L、第二PMOS晶体管M2L、NMOS晶体管M3L、比较器、钳位反相器和2输入或门。
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公开(公告)号：CN111048584B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911334848.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L23/64 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P‑GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I‑V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。
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公开(公告)号：CN111048584A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911334848.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L23/64 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P-氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P-GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I-V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。
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公开(公告)号：CN113541671B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010319722.9
申请日：2020-04-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/00 , H03K19/003 , H02M1/088
Abstract: 本发明提供一种驱动能力可自适应调整的输出驱动电路，受外部电路的控制时钟信号Clk‑ctrl以及上电信号Start‑up控制，用于提供集成电路的驱动电流，其特征在于，包括：P端反相器链、N端反相器链、n(n为任意正整数)个P端输出反相器、n个N端输出反相器、n个P端输出PMOS管、n个N端输出NMOS管、n个P端输出反相器控制开关、n个N端输出反相器控制开关、采样开关SW、输入数据开关Kin和测试数据开关Kcal、高速比较器阵列、误差过滤电路、负载判别电路、驱动电流选择电路、输入脉冲频率判别电路以及控制器电路。
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公开(公告)号：CN113541671A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010319722.9
申请日：2020-04-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/00 , H03K19/003 , H02M1/088
Abstract: 本发明提供一种驱动能力可自适应调整的输出驱动电路，受外部电路的控制时钟信号Clk‑ctrl以及上电信号Start‑up控制，用于提供集成电路的驱动电流，其特征在于，包括：P端反相器链、N端反相器链、n(n为任意正整数)个P端输出反相器、n个N端输出反相器、n个P端输出PMOS管、n个N端输出NMOS管、n个P端输出反相器控制开关、n个N端输出反相器控制开关、采样开关SW、输入数据开关Kin和测试数据开关Kcal、高速比较器阵列、误差过滤电路、负载判别电路、驱动电流选择电路、输入脉冲频率判别电路以及控制器电路。
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