公开(公告)号：CN104733472A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410709261.0

申请日：2014-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  郑政玮 ,  Y-H·金 ,  小林雅治 ,  E·莱奥班顿 ,  朴大奎 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L21/308 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/16 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供含锗鳍与化合物半导体鳍的集成。在绝缘体层上形成含锗层和电介质帽层的叠层。该叠层被图案化以形成含锗半导体鳍和其上具有电介质帽结构的含锗芯结构。电介质掩蔽层被沉积和图案化以掩蔽含锗半导体鳍，同时使所述含锗芯结构的侧壁物理暴露。通过选择性外延化合物半导体材料，在每个含锗芯结构的周围形成环形化合物半导体鳍。每个含锗芯的中心部可被去除以使所述环形化合物半导体鳍的内侧壁物理暴露。可在所述环形化合物半导体鳍的物理暴露表面上形成高迁移率化合物半导体层。电介质掩蔽层和鳍帽电介质可被去除以提供含锗半导体鳍和化合物半导体鳍。

公开(公告)号：CN1722363A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510065300.9

申请日：2005-04-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  布鲁斯·B.·多丽丝 ,  凯思琳·W.·瓜里尼 ,  杨美基 ,  舍里施·纳拉丝穆哈 ,  亚历山大·拉兹尼赛克 ,  克恩·拉姆 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  师利仁 ,  杰弗里·W.·斯莱特 ,  杨敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78687

Abstract: 提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中，应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明，应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底，其中至少一个器件层包括应变硅。

公开(公告)号：CN1716629A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510079456.2

申请日：2005-06-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  赵泽安 ,  科恩·里姆 ,  师利仁

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78687 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了一种用作形成高性能金属氧化物半导体场效应晶体管器件的模板的半导体结构，提供了一种包括绝缘体上SiGe衬底，该衬底包含位于绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层；和在所述拉伸应变SiGe合金层顶上的应变Si层。还提供了一种形成所述拉伸应变SGOI衬底已经上述异质结构的相应方法。该方法通过提供直接在绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层，消除了对应变Si层和下面层中Ge含量的偏好。

公开(公告)号：CN104733472B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410709261.0

申请日：2014-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  郑政玮 ,  Y-H·金 ,  小林雅治 ,  E·莱奥班顿 ,  朴大奎 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L21/308 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/16 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供含锗鳍与化合物半导体鳍的集成。在绝缘体层上形成含锗层和电介质帽层的叠层。该叠层被图案化以形成含锗半导体鳍和其上具有电介质帽结构的含锗芯结构。电介质掩蔽层被沉积和图案化以掩蔽含锗半导体鳍，同时使所述含锗芯结构的侧壁物理暴露。通过选择性外延化合物半导体材料，在每个含锗芯结构的周围形成环形化合物半导体鳍。每个含锗芯的中心部可被去除以使所述环形化合物半导体鳍的内侧壁物理暴露。可在所述环形化合物半导体鳍的物理暴露表面上形成高迁移率化合物半导体层。电介质掩蔽层和鳍帽电介质可被去除以提供含锗半导体鳍和化合物半导体鳍。

公开(公告)号：CN100461446C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510079456.2

申请日：2005-06-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  赵泽安 ,  科恩·里姆 ,  师利仁

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78687 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了一种用作形成高性能金属氧化物半导体场效应晶体管器件的模板的半导体结构，提供了一种包括绝缘体上SiGe衬底，该衬底包含位于绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层；和在所述拉伸应变SiGe合金层顶上的应变Si层。还提供了一种形成所述拉伸应变SGOI衬底已经上述异质结构的相应方法。该方法通过提供直接在绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层，消除了对应变Si层和下面层中Ge含量的偏好。

公开(公告)号：CN100378917C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510065300.9

申请日：2005-04-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  布鲁斯·B.·多丽丝 ,  凯思琳·W.·瓜里尼 ,  杨美基 ,  舍里施·纳拉丝穆哈 ,  亚历山大·拉兹尼赛克 ,  克恩·拉姆 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  师利仁 ,  杰弗里·W.·斯莱特 ,  杨敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78687

Abstract: 提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中，应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明，应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底，其中至少一个器件层包括应变硅。

公开(公告)号：CN1707754A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510072898.4

申请日：2005-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  罗伯特·J·米勒 ,  艾林·C·琼斯 ,  阿图尔·阿伊梅拉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0843 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有多晶SiGe结的MOSFET器件的结构和制造方法。Ge在Si上选择性地生长，Si在Ge上选择性地生长。Ge和Si层的交替淀积形成SiGe结。所述淀积的层进行掺杂，随后掺杂剂向外扩散入器件本体中。位于所述多晶Ge和Si层之间的薄的、多孔氧化物层提高了SiGe结的各向同性。

公开(公告)号：CN104733517B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201410686031.7

申请日：2014-11-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  陈国仕 ,  宁德雄 ,  姚正邦

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1008 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/7317

Abstract: 本申请涉及半导体结构及其形成方法。提供包括本征基极半导体材料部的横向SOI双极型晶体管结构，其中本征基极的所有表面不形成与集电极半导体材料部或发射极半导体材料部的界面，所述横向SOI双极型晶体管结构包含非本征基极半导体材料部。每个非本征基极半导体材料部与本征基极半导体材料部具有相同的导电类型，但是每个非本征基极半导体材料部具有高于本征基极半导体材料部的掺杂剂浓度。本申请的横向SOI双极型晶体管的本征基极半导体材料部不具有任何与周围绝缘体材料层的界面。因此，周围绝缘体材料层中的任何潜在的电荷累积都会被非本征基极半导体材料部屏蔽。

公开(公告)号：CN104733517A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410686031.7

申请日：2014-11-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  陈国仕 ,  宁德雄 ,  姚正邦

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1008 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/7317

Abstract: 本申请涉及半导体结构及其形成方法。提供包括本征基极半导体材料部的横向SOI双极型晶体管结构，其中本征基极的所有表面不形成与集电极半导体材料部或发射极半导体材料部的界面，所述横向SOI双极型晶体管结构包含非本征基极半导体材料部。每个非本征基极半导体材料部与本征基极半导体材料部具有相同的导电类型，但是每个非本征基极半导体材料部具有高于本征基极半导体材料部的掺杂剂浓度。本申请的横向SOI双极型晶体管的本征基极半导体材料部不具有任何与周围绝缘体材料层的界面。因此，周围绝缘体材料层中的任何潜在的电荷累积都会被非本征基极半导体材料部屏蔽。

公开(公告)号：CN100568467C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200410057604.6

申请日：2004-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 哈赛恩·I·汉纳非 ,  戴维·J·弗兰克 ,  陈国仕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供一种使用镶嵌-栅极工艺，用于通过应变Si提高FET的迁移性能的方法。通过在沟道区引入局部应变，而不在器件源和漏区引入应变，在Si或硅绝缘体(SOI)结构中故意造成迁移率和FET特性的变化。本发明方法的优点在于，不使源和漏结应变而得到泄露非常低的结，而且它不需要像应变Si/松弛SiGe系统那样的任何特殊的衬底准备。并且，本发明的方法与目前主流CMOS工艺是兼容的。本发明还提供一种CMOS器件，这种CMOS器件具有使用本发明方法形成的局部应变Si沟道。