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公开(公告)号：CN1707754A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510072898.4
申请日：2005-05-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0843 , H01L21/02203 , H01L21/02271 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/2252 , H01L21/31695 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶SiGe结的MOSFET器件的结构和制造方法。Ge在Si上选择性地生长，Si在Ge上选择性地生长。Ge和Si层的交替淀积形成SiGe结。所述淀积的层进行掺杂，随后掺杂剂向外扩散入器件本体中。位于所述多晶Ge和Si层之间的薄的、多孔氧化物层提高了SiGe结的各向同性。
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公开(公告)号：CN100369199C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510072898.4
申请日：2005-05-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶SiGe结的MOSFET器件的结构和制造方法。Ge在Si上选择性地生长，Si在Ge上选择性地生长。Ge和Si层的交替淀积形成SiGe结。所述淀积的层进行掺杂，随后掺杂剂向外扩散入器件本体中。位于所述多晶Ge和Si层之间的薄的、多孔氧化物层提高了SiGe结的各向同性。
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公开(公告)号：CN102456579B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110259130.3
申请日：2011-09-05
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66772 , H01L29/7848 , H01L29/78618 , H01L29/78654
Abstract: 具有局部的极薄绝缘体上硅沟道区的半导体器件。形成晶体管器件的方法包括在SOI起始衬底上形成虚拟栅极叠层结构，所述SOI衬底包括本体层、本体层上的全局BOX层和全局BOX层上的SOI层。在源极和漏极区形成完全穿过SOI导和全局BOX层的部分的自对准沟槽。在源极和漏极区中外延再生硅，与全局BOX层相邻，在外延再生的硅中重建局部BOX层。局部BOX层的顶面低于全局BOX层的顶面。与沟道区相邻，在源极和漏极区中形成嵌入式源极和漏极应力源。在源极和漏极区上形成硅化物触点。除去虚拟栅极叠层结构，并形成最终的栅极叠层结构。
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公开(公告)号：CN102456579A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110259130.3
申请日：2011-09-05
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66772 , H01L29/7848 , H01L29/78618 , H01L29/78654
Abstract: 具有局部的极薄绝缘体上硅沟道区的半导体器件。形成晶体管器件的方法包括在SOI起始衬底上形成虚拟栅极叠层结构，所述SOI衬底包括本体层、本体层上的全局BOX层和全局BOX层上的SOI层。在源极和漏极区形成完全穿过SOI导和全局BOX层的部分的自对准沟槽。在源极和漏极区中外延再生硅，与全局BOX层相邻，在外延再生的硅中重建局部BOX层。局部BOX层的顶面低于全局BOX层的顶面。与沟道区相邻，在源极和漏极区中形成嵌入式源极和漏极应力源。在源极和漏极区上形成硅化物触点。除去虚拟栅极叠层结构，并形成最终的栅极叠层结构。
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