公开(公告)号：CN100369199C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510072898.4

申请日：2005-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  罗伯特·J·米勒 ,  艾林·C·琼斯 ,  阿图尔·阿伊梅拉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有多晶SiGe结的MOSFET器件的结构和制造方法。Ge在Si上选择性地生长，Si在Ge上选择性地生长。Ge和Si层的交替淀积形成SiGe结。所述淀积的层进行掺杂，随后掺杂剂向外扩散入器件本体中。位于所述多晶Ge和Si层之间的薄的、多孔氧化物层提高了SiGe结的各向同性。

公开(公告)号：CN1707754A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510072898.4

申请日：2005-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  罗伯特·J·米勒 ,  艾林·C·琼斯 ,  阿图尔·阿伊梅拉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0843 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有多晶SiGe结的MOSFET器件的结构和制造方法。Ge在Si上选择性地生长，Si在Ge上选择性地生长。Ge和Si层的交替淀积形成SiGe结。所述淀积的层进行掺杂，随后掺杂剂向外扩散入器件本体中。位于所述多晶Ge和Si层之间的薄的、多孔氧化物层提高了SiGe结的各向同性。