公开(公告)号：CN1653608A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03811169.1

申请日：2003-06-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 戴维·M.·弗雷德 ,  爱德华·J.·诺瓦克 ,  贝思·安·雷尼 ,  德温得拉·K.·萨达纳

IPC: H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种从体半导体晶片(200)形成鳍(210)状场效应晶体管(FET)同时改善各晶片之间的器件一致性的器件结构和方法。具体地说，本发明提供了保证鳍高度一致的高度控制层(212)，诸如基片(200)的一个受损部分或一个标志层。此外，本发明提供鳍(210)之间的隔离(214)，这还通过相对于鳍侧壁的氧化部分(216)选择性氧化基片的一部分(212)，使鳍宽度得到优化和变窄。本发明的器件结构和方法因此具有可以用高效益的体晶片一致地制造finFET的优点。

公开(公告)号：CN101416316A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200680014216.7

申请日：2006-04-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约耳·P.·德索扎 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  凯瑟琳·L.·萨恩格 ,  宋均镛 ,  杨敏 ,  尹海洲

IPC: H01L29/04

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及混合晶向沟道场效应晶体管，在结合界面(360)上方的源/漏区具有的晶向，而结合界面(360)下方的源/漏区具有下部半导体(370)的晶向，使得源/漏区的每个部分的晶向与横向相邻的半导体材料的晶向相同。可选的源/漏延伸区(392)被整个地设置在上部半导体(350)中。可选地，结合界面(360)位于接近源/漏区(380)的底部，使得源/漏区(380)大部分处于上部半导体层(350)中。

公开(公告)号：CN100459072C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480040518.2

申请日：2004-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈华杰 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  丹·M.·莫库塔

IPC: H01L21/331

Abstract: 一种形成绝缘体上硅锗(SGOI)结构的方法。硅锗层(104)被淀积(300)在SOI晶片(102，100)上。执行硅锗层和硅层的热混合(302)，以便形成具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的厚SGOI(106)。然后将硅锗层(110)减薄(306)到所希望的最终厚度。锗浓度、弛豫量、以及堆垛层错缺陷密度不被此减薄工艺改变。从而得到具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄的SGOI膜。然后，硅层(112)被淀积在此薄的SGOI晶片上。减薄的方法包括低温(550-700℃)HIPOX或蒸汽氧化、外延工作室中的原位氯化氢腐蚀、或CMP。用修整CMP、原位氢烘焙、以及应变硅淀积过程中的硅锗缓冲层、或利用氯化氢、DCS、以及锗烷的气体混合物在氢环境中对晶片进行加热，来整平HIPOX或蒸汽氧化减薄所引起的粗糙硅锗表面。

公开(公告)号：CN1816910A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480019346.0

申请日：2004-05-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W.·贝德尔 ,  陈华杰 ,  基思·E.·佛格尔 ,  德温得拉·K.·萨达纳

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明提供一种制造绝缘体上SiGe衬底的方法，其中采用晶格工程学除去SiGe厚度、GE含量和应变松弛之间的相互依赖性。该方法包括：提供绝缘体上SiGe衬底材料，其包括具有选择面内晶格参数、选择厚度参数和选择Ge含量参数的SiGe合金层，其中选择面内晶格参数具有恒定值，一个或两个其它参数，即厚度或Ge含量具有可调值；和调节一个或两个其他参数为最终选择值，同时保持面内晶格参数。所述调节是利用减薄工艺或热稀释工艺来实现的，这取决于是哪些参数是固定的和可调的。

公开(公告)号：CN100429760C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200480019346.0

申请日：2004-05-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W.·贝德尔 ,  陈华杰 ,  基思·E.·佛格尔 ,  德温得拉·K.·萨达纳

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明提供一种制造绝缘体上SiGe衬底的方法，其中采用晶格工程学除去SiGe厚度、GE含量和应变松弛之间的相互依赖性。该方法包括：提供绝缘体上SiGe衬底材料，其包括具有选择面内晶格参数、选择厚度参数和选择Ge含量参数的SiGe合金层，其中选择面内晶格参数具有恒定值，一个或两个其它参数，即厚度或Ge含量具有可调值；和调节一个或两个其他参数为最终选择值，同时保持面内晶格参数。所述调节是利用减薄工艺或热稀释工艺来实现的，这取决于是哪些参数是固定的和可调的。

公开(公告)号：CN1296991C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN03811169.1

申请日：2003-06-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 戴维·M.·弗雷德 ,  爱德华·J.·诺瓦克 ,  贝思·安·雷尼 ,  德温得拉·K.·萨达纳

IPC: H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种从体半导体晶片(200)形成鳍(210)状场效应晶体管(FET)同时改善各晶片之间的器件一致性的器件结构和方法。具体地说，本发明提供了保证鳍高度一致的高度控制层(212)，诸如衬底(200)的一个受损部分或一个标志层。此外，本发明提供鳍(210)之间的隔离(214)，这还通过相对于鳍侧壁的氧化部分(216)选择性氧化衬底的一部分(212)，使鳍宽度得到优化和变窄。本发明的器件结构和方法因此具有可以用高效益的体晶片一致地制造鳍状场效应晶体管的优点。

公开(公告)号：CN1722363A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510065300.9

申请日：2005-04-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  布鲁斯·B.·多丽丝 ,  凯思琳·W.·瓜里尼 ,  杨美基 ,  舍里施·纳拉丝穆哈 ,  亚历山大·拉兹尼赛克 ,  克恩·拉姆 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  师利仁 ,  杰弗里·W.·斯莱特 ,  杨敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78687

Abstract: 提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中，应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明，应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底，其中至少一个器件层包括应变硅。

公开(公告)号：CN101416316B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200680014216.7

申请日：2006-04-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约耳·P.·德索扎 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  凯瑟琳·L.·萨恩格 ,  宋均镛 ,  杨敏 ,  尹海洲

IPC: H01L29/04

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及混合晶向沟道场效应晶体管，在结合界面(360)上方的源/漏区具有的晶向，而结合界面(360)下方的源/漏区具有下部半导体(370)的晶向，使得源/漏区的每个部分的晶向与横向相邻的半导体材料的晶向相同。可选的源/漏延伸区(392)被整个地设置在上部半导体(350)中。可选地，结合界面(360)位于接近源/漏区(380)的底部，使得源/漏区(380)大部分处于上部半导体层(350)中。

公开(公告)号：CN100378917C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510065300.9

申请日：2005-04-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  布鲁斯·B.·多丽丝 ,  凯思琳·W.·瓜里尼 ,  杨美基 ,  舍里施·纳拉丝穆哈 ,  亚历山大·拉兹尼赛克 ,  克恩·拉姆 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  师利仁 ,  杰弗里·W.·斯莱特 ,  杨敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78687

Abstract: 提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中，应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明，应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底，其中至少一个器件层包括应变硅。

公开(公告)号：CN1906742A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200480040518.2

申请日：2004-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈华杰 ,  斯蒂芬·W.·贝戴尔 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  丹·M.·莫库塔

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种形成绝缘体上硅锗(SGOI)结构的方法。硅锗层(104)被淀积(300)在SOI晶片(102，100)上。执行硅锗层和硅层的热混合(302)，以便形成具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的厚SGOI(106)。然后将硅锗层(110)减薄(306)到所希望的最终厚度。锗浓度、弛豫量、以及堆垛层错缺陷密度不被此减薄工艺改变。从而得到具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄的SGOI膜。然后，硅层(112)被淀积在此薄的SGOI晶片上。减薄的方法包括低温(550－700℃)HIPOX或蒸汽氧化、外延工作室中的原位氯化氢腐蚀、或CMP。用修整CMP、原位氢烘焙、以及应变硅淀积过程中的硅锗缓冲层、或利用氯化氢、DCS、以及锗烷的气体混合物在氢环境中对晶片进行加热，来整平HIPOX或蒸汽氧化减薄所引起的粗糙硅锗表面。