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公开(公告)号：CN115360296A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210986016.9
申请日：2022-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子学材料制备技术领域，本发明所述的制备方法首先采用真空封管工艺，在正的X蒸气压下合成CuCr2X4粉末材料，将获得的粉末材料与适量X粉末混合后低温氩气气氛烧结，制成富X的CuCr2X4靶材；进而采用激光脉冲沉积技术，以高能脉冲激光轰击富X的CuCr2X4靶材，在真空腔中产生一定的X蒸气分压，促使CuCr2X4薄膜在高温衬底上成为尖晶石相，以实现铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料的稳定制备。本发明制备的铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料结晶度高，在室温下(300K)具有铁磁性，饱和磁化强度为150‑250emu/cm3，尺寸满足自旋电子器件需求。
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公开(公告)号：CN111270205B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010099720.3
申请日：2020-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。
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公开(公告)号：CN110510584A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910912645.5
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种CoSbSe纳米片材料的制备方法及其应用，本发明属于纳米材料制备技术领域，它的目的是针对CoSbSe作为热电材料所存在的制备过程所需温度较高、时间较长、能耗较高的问题。CoSbSe纳米片的制备方法：一、对碳布进行超声清洗；二、按照化学计量比Sb:Se＝1:1的比例将锑粉和硒粉混合；三、将钴盐、尿素和氟化铵加入到超纯水中搅拌溶解；四、碳布浸入步骤三的反应液中水热反应；五、将锑硒粉混合物和前驱体一同放入石英管中，抽真空密封，分两个阶段加热反应，得到CoSbSe纳米片。本发明得到的CoSbSe纳米片所需的制备温度大幅度降低，所需的制备时间大幅度减少，有利于清洁高效制备CoSbSe纳米片。
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公开(公告)号：CN103972313B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410189563.X
申请日：2014-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/0392 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种双面太阳能电池，包括：在玻璃片（5）的一面依次沉积光子晶体反射层4）、第二透明电极层（3）、顶电池层（2）和第一透明电极层（1）；在玻璃片（5）的另一面依次沉积第三透明电极层（6）、底电极层（7）和金属背电极层8）；从而得到所述的双面太阳能电池。本发明的双面太阳能电池创新性地提出了不使用隧道结，采用光子晶体层调节光电流匹配，解决了传统太阳能电池的缺点，如单节电池转换效率低，多节电池隧道结不易制作，两节电池光电流不易匹配，本发明的优点在于将叠层太阳能电池分为两部分分别制作于玻璃的两面，省去了隧道结，同时引入光子晶体来调节光吸收来达到光电流匹配的效果。
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公开(公告)号：CN106024926A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610560686.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114752997A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210438009.5
申请日：2022-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种双坩埚液相外延生长装置，涉及液相外延生长设备技术领域，包括第一炉体、第二炉体、坩埚组件和驱动组件，所述第一炉体与所述第二炉体通过通孔相连；所述坩埚组件包括两个坩埚，两个所述坩埚分别设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部；所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚穿过所述通孔以对调在所述第一炉体和所述第二炉体内的位置。本发明通过两个坩埚连续调换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长，突破膜厚的技术瓶颈，提高薄膜的质量和制备效率，有利于进行批量化生产。
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公开(公告)号：CN110568011B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910875937.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液氮温区热电势测量仪及其测量方法，包括采集控制单元、冷却单元、探头组件单元、真空密封单元和测试探头单元，测试探头单元用于夹持样品，受采集控制单元控制对样品进行加热，同时向采集控制单元传输温度信号及电压信号；探头组件单元用于承载测试探头单元，调节探头间距，以及减少外界温度对测试探头单元的影响；采集控制单元用于对测试探头单元进行温度控制，并接收测试探头单元的探头温度信号及电压信号；冷却单元用于通过液氮使探头组件单元和样品快速降温；真空密封单元用于在测试探头单元对样品加热时提供真空环境。本发明的设备操作简单方便、降温和测量耗时短，成本低廉，并且能同时满足机械强度较高材料和机械强度较低材料的测试。
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公开(公告)号：CN110265504B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910588485.3
申请日：2019-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种紫外光电探测器，包括衬底、设置在所述衬底上的源电极和漏电极，还包括设置在所述衬底上的量子点修饰的纳米线，所述量子点修饰的纳米线的两端分别与所述源电极和所述漏电极连接；所述量子点修饰的纳米线包括氮化铝纳米线和氧化镍量子点，所述氧化镍量子点附着在所述氮化铝纳米线表面且与所述氮化铝纳米线之间形成p‑n结。本发明提供的紫外光电探测器，利用氮化铝纳米线和氧化镍量子点之间形成的p‑n结，有效提高氮化铝纳米线载流子的浓度，从而提高紫外光电探测器的光电导增益，实现紫外光电探测器对VUV紫外线的探测。
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公开(公告)号：CN111876151A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010680138.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于色彩显示和生物成像的上转换荧光材料及其制备方法和应用。本发明属于材料科学领域。本发明解决现有掺杂发光材料普遍存在发光离子浓度低、光增益小、难以在单一波长激发下产生多色输出的技术问题。产品：是由Er2O3粉末和SiO2粉末经烧结而成的具有三原色及近红外上转换发光特性的稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7。方法：一、先将Er2O3粉末烘干，然后与SiO2粉末混合均匀；二、将混合粉末先烧结，然后研磨，研磨后再烧结，得到前驱体粉末；三、压片，压片后烧结，得到稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7。本发明的一种稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7作为发光材料应用于色彩显示或生物成像领域。本发明的材料发光离子浓度的提升有效地增大了荧光寿命，使其达到了135.4μs。
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公开(公告)号：CN107808908B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201711099351.2
申请日：2017-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01D5/26
Abstract: 基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用，本发明属于传感器领域，它为了解决现有紫外光电探测器的响应速度较慢，未有同时兼具自驱动紫外光电传感器和位敏传感器材料器件的问题。该基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p‑n结结构，在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5～20nm的p型镍酸盐氧化物层，其中的镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。在该异质结表面镀有金电极制备传感器，此传感器能够应用于自驱动紫外光电探测器和位敏传感器中。本发明利用Nb:SrTiO3半导体仅在紫外/近紫外光区响应的特点，其探测范围接近日盲区范围，且光电响应速度快。
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