公开(公告)号：CN116190472A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310201576.3

申请日：2023-03-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  关宇锋 ,  王帅 ,  刘晓航 ,  陈曦 ,  赵纪红 ,  高延军

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种多光吸收层结构的宽光谱光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。由硅衬底层1、氧化锌层2(厚度50～200nm)、具有叉指结构的掩埋式电极层3(叉指间距和叉指宽度均为3～20μm，对数为20～40对，厚度50～100nm，电极材料为金、铂或钛)和氧化镓覆盖层4(厚度50～150nm)组成，掩埋式电极层3的叉指结构掩埋于氧化镓覆盖层4中，掩埋式电极层3连接叉指结构的两侧电极未被氧化镓覆盖层4全部覆盖，裸露部分用于施加偏压。本发明利用不同禁带宽度的半导体材料作为光吸收层，在电场的作用下，叉指电极可以分离收集到不同光吸收层的光生电子‑空穴对而形成光电流，达到宽光谱探测的作用。

公开(公告)号：CN114566566A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210185150.9

申请日：2022-02-28

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  张文博 ,  陈曦 ,  孙浩航 ,  刘晓航 ,  赵纪红 ,  刘秀环 ,  侯丽新 ,  高延军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0304

Abstract: 一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明以c面蓝宝石为衬底，采用反应射频磁控溅射技术在衬底上生长氮化铝薄膜，然后以“面对面”的退火方式改善氮化铝薄膜的结晶质量，再通过磁控溅射或电子束蒸发的方式在氮化铝薄膜上制备金属叉指电极，最终得到氮化铝日盲光电探测器。本发明制得的氮化铝探测器对波长小于210nm的日盲波段光有着较高的响应，其在50V偏压下的光电流高达291nA，响应度为0.51A/W。本发明工艺流程简单，成本低廉，适合批量生产，制备的氮化铝探测器可应用于日盲光电探测领域。

公开(公告)号：CN112981348A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110186779.0

申请日：2021-02-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  刘晓航 ,  陈曦 ,  赵纪红 ,  刘秀环 ,  侯丽新 ,  高延军

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 一种Mg原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体掺杂技术领域。采用射频磁控溅射技术，首先在衬底上进行第一层hBN薄层的溅射生长，然后再接着进行第一层Mg杂质源的溅射生长，每个溅射周期得到的膜厚为20～60nm，最后再溅射一层hBN薄层，避免Mg与外界环境直接接触。每个溅射周期的膜厚可由hBN靶的溅射时间、溅射功率、工作气压和靶距进行调节；Mg的掺杂浓度可由Mg靶的溅射时间、溅射功率、工作气压和靶距进行调节；然后按照所需要的膜厚和掺杂浓度多次重复上述溅射周期，从而获得空穴浓度很高的P型hBN薄膜。本发明不需要高温环境，可以与Si的集成工艺兼容，配合掩膜板可以较精确的实现区域可控掺杂。

公开(公告)号：CN114664967A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210222190.6

申请日：2022-03-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙浩航 ,  陈占国 ,  刘晓航 ,  张文博 ,  陈曦 ,  赵纪红 ,  侯丽新 ,  刘秀环 ,  高延军

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明所述六方氮化硼深紫外光电探测器，自下而上由c轴蓝宝石衬底层、六方氮化硼层、嵌入式MSM电极结构层和六方氮化硼包层组成，其中嵌入式MSM电极结构层为叉指电极结构。本发明将MSM电极嵌入在六方氮化硼层内，并且在电极上方再覆盖一层六方氮化硼包层，相当于增大了曝光面积，可以最大程度增加光生载流子的收集范围；而六方氮化硼层内的载流子迁移率远高于层间迁移率，因而这种嵌入式MSM结构有利于提高器件的响应度和响应速度；同时电极嵌入在六方氮化硼薄膜中，也可以防止电极的脱落与沾污，从而保证器件的稳定性。

公开(公告)号：CN117512559A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311501689.1

申请日：2023-11-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  范盛达 ,  刘晓航 ,  陈曦 ,  侯丽新 ,  刘秀环 ,  赵纪红 ,  高延军

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备和掺杂技术领域。本发明采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术，通过BCl3+NH3→hBN+HCl反应在衬底上生长本征hBN薄膜缓冲层，然后在缓冲层上以Cp2Mg为掺杂源进行原位掺杂，受控降温后得到原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜。薄膜的生长速率与厚度可通过生长温度、生长源流量等进行调控，其电学性质与掺杂浓度可通过掺杂源加热温度与稀释比例进行调节。本发明所述方法简单稳定且掺杂均匀，能够制备出空穴浓度较高的P型hBN薄膜，进一步通过异质外延等方式，可以与其他半导体材料形成各种半导体器件。