公开(公告)号：CN116190472A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310201576.3

申请日：2023-03-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  关宇锋 ,  王帅 ,  刘晓航 ,  陈曦 ,  赵纪红 ,  高延军

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种多光吸收层结构的宽光谱光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。由硅衬底层1、氧化锌层2(厚度50～200nm)、具有叉指结构的掩埋式电极层3(叉指间距和叉指宽度均为3～20μm，对数为20～40对，厚度50～100nm，电极材料为金、铂或钛)和氧化镓覆盖层4(厚度50～150nm)组成，掩埋式电极层3的叉指结构掩埋于氧化镓覆盖层4中，掩埋式电极层3连接叉指结构的两侧电极未被氧化镓覆盖层4全部覆盖，裸露部分用于施加偏压。本发明利用不同禁带宽度的半导体材料作为光吸收层，在电场的作用下，叉指电极可以分离收集到不同光吸收层的光生电子‑空穴对而形成光电流，达到宽光谱探测的作用。