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公开(公告)号：CN112748297A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010986515.9
申请日：2020-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明实施例涉及功率放大器测试系统及相关测试方法。一种测试系统包含：信号产生器，其经布置以产生测试信号；分配电路，其耦合到所述信号产生器并用于根据所述测试信号提供多个输入信号；及多个功率放大器芯片，其耦合到所述分配电路并用于通过分别根据所述多个输入信号在预定测试时间产生多个输出信号而进行测试。
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公开(公告)号：CN102646969A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210022052.X
申请日：2012-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0288 , H02H9/046
Abstract: 一种电路包括：第一节点，被配置为接收射频(“RF”)信号；第一静电放电(ESD)保护电路，连接至用于RF电路的第一电压电源导轨；和第二ESD保护电路，连接至第二节点和用于RF电路的第二电压电源节点。将RF扼流电路连接至第二节点和设置在第一节点和RF电路之间的第三节点。本发明还公开了一种通过射频扼流器的ESD块隔离方法。
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公开(公告)号：CN104733427B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410100617.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H03L7/099 , H03L7/18
CPC classification number: H01F27/42 , H01F21/12 , H01F27/2804 , H01F27/40 , H01F29/02 , H01F2021/125 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L27/0688 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/1256 , H03B2201/0216 , H03L7/099
Abstract: 本发明提供了具有螺旋电感器的可变电感器、包括其的压控振荡器及锁相环。一种可变电感器包括衬底上方的螺旋电感器，螺旋电感器包括环状部分。可变电感器进一步包括：衬底上方的接地环，接地环至少围绕螺旋电感器的环状部分；以及衬底上方的浮置环，浮置环设置在接地环和螺旋电感器之间。可变电感器进一步包括开关阵列，该开关阵列被配置为将接地环选择性地连接至浮置环。
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公开(公告)号：CN103165661B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201210082590.8
申请日：2012-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H03F1/26
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/42372 , H01L29/785
Abstract: 用于减小栅极阻抗FinFET的方法和装置。公开了金属栅极晶体管结构，包括：多个半导体鳍，形成在半导体衬底的上方，鳍被平行配置并且隔开；包含栅电极的金属，其形成在半导体衬底上方且覆盖每个半导体鳍的沟道栅极区域，并且在半导体鳍之间的半导体衬底的上方延伸；层间介电层，覆盖栅电极和半导体衬底；以及多个接触，设置在层间介电层中并且通过层间介电层延伸到栅电极；低阻抗金属带，形成在层间介电层的上方并且通过多个接触连接至栅电极；其中，多个接触与半导体鳍的沟道栅极区域隔开。公开了用于形成减小栅极FinFET的方法。
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公开(公告)号：CN104733427A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410100617.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H03L7/099 , H03L7/18
CPC classification number: H01F27/42 , H01F21/12 , H01F27/2804 , H01F27/40 , H01F29/02 , H01F2021/125 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L27/0688 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/1256 , H03B2201/0216 , H03L7/099
Abstract: 本发明提供了具有螺旋电感器的可变电感器、包括其的压控振荡器及锁相环。一种可变电感器包括衬底上方的螺旋电感器，螺旋电感器包括环状部分。可变电感器进一步包括：衬底上方的接地环，接地环至少围绕螺旋电感器的环状部分；以及衬底上方的浮置环，浮置环设置在接地环和螺旋电感器之间。可变电感器进一步包括开关阵列，该开关阵列被配置为将接地环选择性地连接至浮置环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165661A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210082590.8
申请日：2012-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H03F1/26
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/42372 , H01L29/785
Abstract: 用于减小栅极阻抗FinFET的方法和装置。公开了金属栅极晶体管结构，包括：多个半导体鳍，形成在半导体衬底的上方，鳍被平行配置并且隔开；包含栅电极的金属，其形成在半导体衬底上方且覆盖每个半导体鳍的沟道栅极区域，并且在半导体鳍之间的半导体衬底的上方延伸；层间介电层，覆盖栅电极和半导体衬底；以及多个接触，设置在层间介电层中并且通过层间介电层延伸到栅电极；低阻抗金属带，形成在层间介电层的上方并且通过多个接触连接至栅电极；其中，多个接触与半导体鳍的沟道栅极区域隔开。公开了用于形成减小栅极FinFET的方法。
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公开(公告)号：CN107302377B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201710190269.4
申请日：2017-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例描述了一种可调匹配电路，可调匹配电路与超低功耗RF接收器配合使用以支持各种RF通信频带。开关电容器阵列和开关电阻器阵列被用来调整由在超低功耗模式下的晶体管的运行特性呈现的输入阻抗。RF传感器可用来监控可调匹配电路的性能，从而确定驱动开关电容器阵列和开关电阻器阵列的数字控制字的最佳设置。在有效带宽范围内的有效匹配是可以实现的。最佳匹配配置可随时更新以适应改变的操作条件。存储器可用来储存开关电容器阵列和开关电阻器阵列的最佳匹配配置。本发明实施例涉及具有可调匹配网络的超低功耗RF接收器前端。
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公开(公告)号：CN108134613A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711180604.9
申请日：2017-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H04B1/006 , H04B1/04 , H04B2001/0491
Abstract: 本发明实施例涉及双模RF发射前端。根据本发明的一些实施例，一种发射前端包含经配置以产生经调制信号的调制器。第一可选择路径电耦合到所述调制器且经配置以产生具有第一功率电平的第一信号。第二可选择路径电耦合到所述调制器且经配置以产生具有第二功率电平的第二信号。所述第一功率电平大于所述第二功率电平。变压器电耦合到所述第一可选择路径及所述第二可选择路径中的每一个。天线电耦合到所述变压器。
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公开(公告)号：CN106252233A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610107907.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H03D7/16
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/1033 , H01L29/167 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H01L29/66795 , H01L29/66803 , H01L29/785 , H03D7/16
Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括上部沟道注入晶体管的半导体器件的方法。方法包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍。一个或多个鳍包括沿着第一方向的第一区域和在第一区域的两侧上沿着第一方向的第二区域。掺杂剂浅注入鳍的第一区域的上部中而不注入第二区域中并且不注入鳍的第一区域的下部中。在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极结构形成在鳍的第一区域上方，并且源极/漏极形成在鳍的第二区域上方，从而形成上部沟道注入晶体管。本发明实施例涉及高注入沟道半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106252232A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610090342.6
申请日：2016-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。
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