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公开(公告)号：CN110088922A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880004805.X
申请日：2018-04-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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公开(公告)号：CN106206898B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610809998.9
申请日：2016-09-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括：提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
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公开(公告)号：CN105226177B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510655970.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0753 , H01L25/50 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13006 , H01L2224/13011 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13082 , H01L2224/14051 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81805 , H01L2225/06513 , H01L2924/12041 , H01L2924/37001 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片，包括：基板；第一半导体层；第二半导体层；局部缺陷区位于部分第二半导体层上，且向下延伸至第一半导体层；第一金属层位于部分第一半导体层上；第二金属层位于部分第二半导体层上；绝缘层，覆盖于第一金属层、第二金属层、第二半导体层以及局部缺陷区的第一半导体层上，绝缘层具有开口结构，分别位于第一金属层和第二金属层上；共晶电极结构，位于具有开口的绝缘层上，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区。本发明解决习知倒装LED芯片在共晶接合制程中可能发生共晶空洞率过高导致封装不良问题。
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公开(公告)号：CN105234560B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510635391.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的切割方法，包括以下工艺步骤：提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割。将传统的半导体芯片线性激光切割改为方形激光切割，并且在半导体芯片与方形激光间增设具有若干个区域的掩膜层，每个区域对应一次待方形激光切割，即一次性达成多个芯片单元的切割工艺，增加单位时间产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449922A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610775319.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，外延生长发光外延层，由N型半导体层、发光层以及P型半导体层堆叠而成，定义发光外延层上表面分为P型区域与N型区域；在发光外延层上形成金属膜层；采用快速热退火处理，使得金属膜层发生球聚，形成金属颗粒；在发光外延层及金属颗粒上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化，使得N型区域裸露出来；采用金属颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，使得N型区域蚀刻至N型半导体层裸露出来，并将N型半导体层的上表面粗化；去除掩膜层，并保留P型半导体层上的金属颗粒，进行芯片制程。
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公开(公告)号：CN106206898A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610809998.9
申请日：2016-09-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括：提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
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公开(公告)号：CN105336829A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510625578.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN105234560A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510635391.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的切割方法，包括以下工艺步骤：提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割。将传统的半导体芯片线性激光切割改为方形激光切割，并且在半导体芯片与方形激光间增设具有若干个区域的掩膜层，每个区域对应一次待方形激光切割，即一次性达成多个芯片单元的切割工艺，增加单位时间产能。
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公开(公告)号：CN101859859B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201010170914.4
申请日：2010-05-04
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开的高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法，在衬底上外延一由N型GaN层、发光层、P型GaN层构成的外延层；第一分布布拉格反射层，形成于外延层第一区域上；第二分布布拉格反射层，形成于外延层第二区域上；导电层形成于第一分布布拉格反射层上且覆盖于外延层第一区域；P电极形成于导电层上；N电极形成于第二分布布拉格反射层上且覆盖至N型GaN层上；其中第一分布布拉格反射层位于P电极正下方，且第一分布布拉格反射层图案面积大于或者等于P电极的图案面积；本发明设有分布布拉格反射层，不但可以充分地把光反射出来，防止光被电极吸收，还可使电流均匀地扩散，起到双重提高光输出效率的作用。
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