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公开(公告)号：CN118688596A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410535002.4
申请日：2024-04-30
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供了一种功率器件的次级粒子辐照分析方法、装置、设备及介质，涉及半导体器件辐射效应技术领域，包括获取待分析功率器件对应的第一特性参数以及入射中子对应的第二特性参数；根据所述第一特性参数和预设的蒙特卡罗模拟平台，构建所述功率器件对应的功率器件仿真模型；根据所述第二特性参数、所述功率器件仿真模型和所述蒙特卡罗模拟平台，模拟所述入射中子辐照所述功率器件的全生命周期，得到所述入射中子辐照所述功率器件产生的次级粒子的辐照数据。本公开不需要粒子探测器以实验的方式探测次级粒子特征，降低了探测难度，提高了探测效率，不需要特定的粒子探测器，降低了成本。
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公开(公告)号：CN119757828A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411855437.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种阈值电压初始值确定方法、装置、计算机设备及介质。该方法包括：获取目标晶体管被施加初始双向电压波形时的多个初步转移特性，在各初步转移特性的回滞处于不稳定状态的情况下，对目标晶体管的终止输入电压进行调整得到调整后终止输入电压，并根据调整后终止输入电压和起始输入电压确定目标晶体管的调整双向电压波形，获取目标晶体管被施加调整双向电压波形时的多个调整后转移特性，并在各调整后转移特性的回滞处于稳定状态的情况下，根据各调整后转移特性确定目标晶体管的阈值电压初始值。采用上述可以通过稳定状态的转移特性来确定精度较高的目标晶体管的阈值电压初始值，以支撑对目标晶体管的负偏置温度不稳定性进行研究。
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公开(公告)号：CN119644083A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411740966.9
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开提供了一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法，包括综合效应试验装置，将样品放入综合效应试验装置内，对样品施加大气中子辐射束线，通过所述综合效应试验装置对样品施加电压和温度；通过实验计算出样品的寿命时间，本发明在大气中子辐射环境中，对纳米FinFET器件进行经时击穿试验测试，以评估纳米FinFET器件在地面和飞行高度上的综合应力影响，无需单独进行两次试验进行评估，更加方便、快捷。
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公开(公告)号：CN119224411A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411610859.4
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R19/165
Abstract: 本申请涉及半导体检测技术领域，特别是涉及一种阈值电压变化量确定方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：将目标设备的栅极电压从放电电压增加至候选电压，确定目标设备的栅极电压达到候选电压后对应的检测电流值，并将目标设备的栅极电压从候选电压恢复至放电电压；根据检测电流值，确定目标设备对应的阈值电压变化量。本申请获取应力电压对应的电流值时，减少了受到缺陷充电的影响，提高了检测电流值确定的准确性，防止出现检测电流值被低估的情况，为后续确定阈值电压变化量提供准确的数据基础，使得阈值电压变化量能够准确反应负偏压温度不稳定性效应退化情况，使得NBTI退化更符合目标设备的实际情况。
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公开(公告)号：CN113484894B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110654439.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T1/16
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测量方法，包括对粉末样品进行定型制样；分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试，获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率；对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试，根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率，获得所述粉末样品的α粒子发射率。通过根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样，来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。所述方法排除了试验设备对测试结果的干扰，解决了粉末样品α粒子发射率测试难题的同时还提高了试验准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117214647A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311343806.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种电子器件检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。方法包括：确定待测电子器件；所述待测电子器件的背面包括未被损坏的电极结构以及背面暴露区域，所述背面暴露区域的电极结构已损坏；控制预设加压装置向所述电极结构输入偏置电压后，监测所述待测电子器件对应的实时电流；控制激光装置向所述背面暴露区域发射激光，并监测所述实时电流是否发生变化，获得监测结果；根据所述监测结果确定所述背面暴露区域是否存在辐射效应敏感区域。采用本方法能够有效检测功率器件。
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公开(公告)号：CN113077850B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110278942.6
申请日：2021-03-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及电子器件可靠性技术领域，具体公开一种电子材料中α源的识别方法、装置及可读存储介质。方法包括构建α粒子发射能谱数据库；测量目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱；对测量得到的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，及α粒子发射能谱数据库中的α粒子发射能谱网格化处理；将网格化处理后的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱与网格化处理后的数据库中的α粒子发射能谱逐个比对得到匹配结果；根据匹配结果识别目标电子材料样品中的α源。即可从数据库中匹配出与目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱最接近的能谱，以该能谱在数据库中所对应的α源作为目标电子材料样品中α源的识别结果，识别准确性较高，效率较高。
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公开(公告)号：CN115267467A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210534452.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种测试结构及功率器件在线测试装置。所述测试结构包括：多条并联的测试支路，各所述测试支路均包括串联电阻及待测功率器件，所述待测功率器件与位于同一所述测试支路的所述串联电阻串接；供电检测装置，与所述测试支路相连接，用于向所述待测功率器件施加偏置电压，使得所述待测功率器件处于阻断状态，并实时监测干路中的电流。采用本测试结构能够提高试验效率。
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公开(公告)号：CN115015654A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210456668.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明涉及一种信号测量电路，包括参考电阻网络模块、第一信号放大模块、偏置测试模块、第二信号放大模块及频谱重建模块，其中，参考电阻网络模块用于生成互为差分信号的第一参考噪声信号及第二参考噪声信号；第一信号放大模块与参考电阻网络模块连接，用于根据第一参考噪声信号及第二参考噪声信号生成预设放大倍数的参考回路噪声信号；偏置测试模块用于生成互为差分信号的待测噪声信号及基准噪声信号；第二信号放大模块与偏置测试模块连接，用于根据待测噪声信号及基准噪声信号生成预设放大倍数的测试回路噪声信号；频谱重建模块与第一信号放大模块及第二信号放大模块均连接，用于获取消除测量噪声信号的电子器件噪声信号功率谱。
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公开(公告)号：CN111693838B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010405988.5
申请日：2020-05-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法和装置，该试验方法包括如下过程：提供具有统计学意义数量的场效应晶体管器件，进行第一电参数测试，获取其第一阈值电压；对场效应晶体管进行若干次辐射处理至达到预设的总辐射剂量，在每次辐射处理后均进行第二电参数测试；对辐射处理至总辐射剂量后的场效应晶体管进行偏置处理，然后进行第三电参数测试，获得第三阈值电压；根据数据处理所得的缺陷分布值判断所述场效应晶体管器件是否符合产品要求。该试验方法提供了一种针对纳米场效应晶体管的分析方法，其有效解决了纳米场效应晶体管的量子效应及涨落效应导致的波动幅度大，传统技术无法准确分析的问题。
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